[发明专利]带有N面非注入区窗口的半导体激光器在审
| 申请号： | 202110875998.X | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113659433A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 林涛;穆妍;解佳男;李亚宁;孙婉君 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 带有N面非注入区窗口的半导体激光器结构，包括从上至下依次设置的P面电极，欧姆接触层，上限制层，上波导层，量子阱，下波导层，下限制层，衬底，N面非注入区窗口一，N面非注入区窗口二，N面电极；本发明带有N面非注入区窗口的半导体激光器结构，通过在较厚的N面衬底制作非注入区窗口来降低前后腔面处的载流子浓度，减少非辐射复合，光吸收相对减少，降低腔面处产生的热量，提高COD阈值，提升器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 注入 窗口 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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- 橘浩一;斋藤真司;布上真也 - 株式会社东芝
- 2006-07-10 - 2007-01-17 - H01S5/16
- 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系III－V族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
- 窗口结构半导体激光装置及其制造方法-200610091702.0
- 渡辺昌规 - 夏普株式会社
- 2006-03-24 - 2006-11-01 - H01S5/16
- 本发明的AlGaInP类窗口结构半导体激光装置，其包括依次层叠下覆层、具有量子阱层的有源层、以及上覆层的光波导路径，并从形成于所述光波导路经的端部的相对于所述叠层垂直的光出射端面放射光。在所述光波导路径的包含所述光出射端面的端部形成具有所述量子阱层不规则化的有源层的窗口部。所述窗口部中的相对所述层叠方向的垂直方向的光强度分布，比在所述光波导路径内侧与所述窗口部相邻的非窗口部中的所述垂直方向的光强度分布扩展。从所述窗口部的所述光出射端面到所述非窗口部的长度大于或等于48μm而小于或等于80μm。
- 半导体元件的制造方法-200480006569.3
- 山田由美;和泉亮 - 古河电气工业株式会社;三井化学株式会社
- 2004-04-19 - 2006-04-12 - H01S5/16
- 一种半导体元件的制造方法，其制造含有混晶化的区域的半导体元件，其包括：在与窗结构(14)对应的部分形成混晶化促进膜(8)的工序；利用催化剂CVD法在窗结构(14)以外的部分至少形成保护膜(9)的工序；通过热处理对窗结构(14)部分进行混晶化的工序，由此，仅将窗结构等的要局部混晶化的部分混晶化，不影响其它不混晶化的部分，而制造半导体激光元件等半导体元件，制造出高功率、寿命长且可靠性高的半导体元件。
- 专利分类
