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[发明专利]一种有关颜色识别、混色原理的玩具-CN202110679246.6在审
发明人： 么艳平;王佳乐;郑廷源 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： A63H33/22 文献下载
摘要：本发明一种有关颜色识别、混色原理的玩具。包括底盘，在底盘上固定安装单片机、芯片、直流电机、开关、语音模块、扬声器、电池和遮光筒，还包括圆盘，直流电机带动圆盘旋转，所述圆盘上表面外周上固定安装LED灯。所述遮光筒内端固定有颜色识别模块，所述遮光筒外端外侧设有白板，所述白板下方置于舵机的摇臂上，所述舵机与底盘固定连接。所述单片机分别与三原色灯点亮控制芯片、直流电机、语音模块、颜色识别模块和舵机连接，扬声器与语音模块连接，三原色灯点亮控制芯片与LED灯连接。本申请玩具是一种集颜色识别、颜色显示、三原色灯混色并动态显示混色过程和语音提示等功能于一身的电子玩具，具有更强的趣味性和互动性。
一种有关颜色识别原理玩具

[发明专利]一种小型机械臂货物分拣智能物流车-CN201910550128.8有效
发明人： 么艳平;汪玉海;王春武;郑廷源;杨阳;何栃伟;汪虎;王旭凤 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型机械臂货物分拣智能物流车，包括带有轮胎的下底盘和置于下底盘上部的上底盘，所述下底盘上固定有驱动轮胎的减速直流电机、第一单片机、第二单片机、开关与电池连接，控制上电和断电、电池和四路不怕光循迹模块，所述上底盘上固定有机械臂、电机驱动扩展板、蓝牙模块、语音模块和条形码识别模块，所述减速直流电机与电机驱动扩展板连接，电机驱动扩展板、四路不怕光循迹模块和条形码识别模块分别与第一单片机相连，本发明将采用STM8控制系统，可以有效降低本物流车的成本，单程取一件货物，更方面扫码匹对和货物配送给顾客。同时机械臂抓取和单程取单件货物也是为了减轻车的重力，提高车速降低耗电量。
一种小型机械货物分拣智能物流

[发明专利]一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法-CN201210226839.8有效
发明人： 么艳平;刘春玲;汪玉海;秦政坤;常喜;齐海东 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种InGaAs纳米异质结红外探测器线阵列及其制备方法，首先在衬底上制备上电极，依次生长有非晶砷化镓缓冲层，砷化镓纳米晶层、铟镓砷纳米晶层，然后制备下电极，形成InGaAs纳米异质结红外探测器线列阵，本发明红外光敏层为纳米晶材料，制备简单，并且可制备出高In组分的InGaAs薄膜，扩展探测范围，并且为非制冷红外探测器，工作于室温，体积小，重量轻，成本低。
一种 ingaas 纳米异质结红外探测器阵列及其制备方法

[发明专利]一种高亮度超辐射发光二极管-CN200910066812.5无效
发明人：乔忠良;薄报学;高欣;么艳平;李梅;王玉霞;芦鹏;张斯玉;邓敏;刘国军;李占国 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：超辐射发光二极管属于半导体光电子器件技术领域。现该领域已知超辐射二极管不足之处是输出功率低、光谱窄等缺点，严重限制了这类器件在相关领域中的应用。本发明之一种高亮度超辐射发光二极管，是通过在传统半导体激光器外延片P面上，经过光刻、刻蚀等工艺制作锥形光放大区、类S脊形种子光源区，光隔离槽等，并将它们集成在同一块芯片上，然后通过半导体激光器相关工艺方法制作高亮度超辐射发光二极管。该结构超辐射二极管具有输出功率高、光谱宽、发散角小等优点，对于促进这类器件在相关领域中的应用具有重要意义。
一种亮度辐射发光二极管

[发明专利]一种制备化学计量比非晶GaAs薄膜材料的方法-CN200910066822.9无效
发明人： 么艳平;乔忠良;薄报学;高欣;陈甫;魏永平;李梅;王玉霞;芦鹏;李辉;曲轶;刘国军;李占国 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：大面积的非晶态GaAs薄膜已经由简单和廉价磁控溅射技术制备出来了，并且非晶态GaAs薄膜具有半导体特性，但是非晶GaAs薄膜中存在组分偏析所引入大量的结构缺陷，阻碍非晶GaAs材料应用于光电子器件。我们发明的目的在于提供一种化学计量比非晶GaAs薄膜的溅射制备方法，在保证非晶GaAs薄膜的完全无序结构前提下，防止组分偏析，提高非晶GaAs薄膜的光电性能和表面形貌，这为研制短波红外探测器、太阳能电池以及其他非晶态光电子器件奠定基础。
一种制备化学计量 gaas 薄膜材料方法

[发明专利]一种组分可调非晶InAs_xSb_1-x薄膜材料的制备方法-CN200910066823.3无效
发明人： 么艳平;乔忠良;薄报学;高欣;陈甫;魏永平;李梅;王玉霞;芦鹏;李辉;曲轶;刘国军;李占国 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：III-V族InAs_xSb_1-x三元合金材料是典型的红外波段窄禁带材料，具有稳定性好，响应快，施主和受主性能好，工作波段的探测率高，能达到精确探测的要求。制备出非晶态InAs_xSb_1-x薄膜将解决生长InAs_xSb_1-x晶体的生长费用昂贵，材料与衬底存在晶格失配问题。并且非晶态InAs_xSb_1-x薄膜表现出明显的半导体特性，有望开发出具有实用价值的半导体器件。我们发明的目的在于提供一种组分可调非晶InAs_xSb_1-x薄膜的双靶溅射制备方法，在保证非晶InAs_xSb_1-x薄膜的完全无序结构前提下，制备出组分可调非晶InAs_xSb_1-x，这为研制红外探测器及其他非晶态光电子器件奠定基础。
一种组分可调 inas sub sb 薄膜材料制备方法

[发明专利]一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法-CN200910066814.4无效
发明人：乔忠良;么艳平;薄报学;高欣;陈甫;魏勇平;李梅;王玉霞;芦鹏;李辉;曲轶;李占国;刘国军 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：非晶InGaAs薄膜材料属于光电子材料技术领域。非晶InGaAs薄膜材料主要应用于红外探测器材料。以往磁控溅射制备该种材料的不足之处在于其内部缺陷过多，难以达到应用水平。本发明之一种钝化非晶InGaAs薄膜材料的方法，通过边成膜边钝化的方法，使得通过磁控溅射方法制备的非晶InGaAs薄膜材料质量有了极大改善，缺陷密度极大降低，能够使得非晶InGaAs薄膜材料得到实际的应用，为研制1.5～3.0μm高性能红外探测器元器件奠定基础。
一种钝化 ingaas 薄膜材料方法

[发明专利]用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法-CN200710193582.X无效
发明人：刘春玲;乔忠良;张晶;么艳平;薄报学;高欣;王玉霞 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本发明一种用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用AlN材料热导率高，热膨胀系数小，电阻率高，透过率高等的特点，用AlN膜形成一种简单有效的大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口，并用AlN膜代替SiO₂作为绝缘膜和腔面抗反射膜，该方法工艺简单，成本低，能提高激光器的COD阈值，延长器件寿命。该技术方案适用于任意条宽的大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的制造。
aln 制作大功率铝镓砷激光器吸收窗口方法

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