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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]除电装置以及除电方法-CN201780070512.7有效
发明人：山河享平;平田智也;入木享太;冈贵郁;吉川兼司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H05F3/04 文献下载
摘要：除电装置(1)具备包含一个以上的带电器部分(21、22)的带电器(20)和接地的针状导体(30)。带电器(20)构成为以使绝缘膜(11)的表面电位的绝对值成为3kV以上的方式使绝缘膜(11)带电。针状导体(30)配置为能够在针状导体(30)与通过带电器(20)而被带电的绝缘膜(11)之间发生电晕放电。因此，能够可靠地对绝缘膜(11)进行除电。
装置以及方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201880025305.4有效
发明人： 吉川兼司;根岸将人;铃木正人;吉野达郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：半导体器件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面(11a)的第一区域(15)形成多个半导体器件(12)的工序；在主面(11a)的与第一区域(15)不同的第二区域(16)形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序；以及从多个切开起点部(20a‑20g)中的相对难以切开的切开起点部(20d)起按顺序以多个切开起点部(20a‑20g)为起点切开晶片(11)的工序。形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序包括：通过对第二区域(16)的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽(20a‑20g)。因此，能够使半导体器件的出产率和制造效率提高。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201680039593.X有效
发明人： 吉川兼司;铃木正人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体元件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面中形成多个半导体元件(12)；形成配置到分割基准线上的多个劈开槽群(20)；以及沿着分割基准线(14)将晶片(11)劈开，而使多个半导体元件(12)相互分离。针对多个半导体元件(12)中的、相互相邻的4个半导体元件(12)，配置多个劈开槽群(20)的至少1个。多个劈开槽群(20)分别包括在分割基准线(14)上配置的多个劈开槽(21、22、23)。由此，能够提高半导体元件(12)的制造成品率。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201780089134.7有效
发明人：吉野达郎;铃木正人;根岸将人;吉川兼司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：特征在于，具备以下工序：在晶片形成多个具有有源区域的半导体元件；在该晶片的上表面侧形成多个劈开槽；以及将该晶片从该晶片的上表面侧劈开，使多个该有源区域和通过多个该劈开槽形成的台阶在剖面露出，该有源区域设置于将从该劈开槽的底至该晶片的下表面的距离作为半径、将该劈开槽的劈开行进方向侧的端部正下方的该晶片的下表面作为中心的半圆内。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201880091772.7在审
发明人：吉野达郎;铃木正人;根岸将人;吉川兼司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：特征在于，具有下述步骤：在形成了放射出光的有源区域的基板的背面设置第1电极和第2电极，将由比该基板脆性小的材料形成的层叠物设置为在该第1电极和该第2电极之间的区域的一部分位于该有源区域的正下方；以及在使该层叠物位于该有源区域的正上方的状态下，通过将该基板与该层叠物一起进行解理而使出现了该有源区域的平面露出。
半导体装置制造方法

[发明专利]欧姆电极结构体及半导体元件-CN200880008459.9无效
发明人：岛本敏孝;吉川兼司;牧田幸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：具备：AuGeNi合金层(13)，设置于n型GaAs层上；叠层体，由上述AuGeNi合金层(13)上所设置的接合金属层(15、17)及上述接合金属层(15、17)上所设置的势垒金属层(16、18)构成；叠层体设置2个周期以上。采用该结构，可以在GaAs类的接触层，特别是n型电极中，限制半导体的Ga及在n型电极上形成欧姆接合所需要的AuGeNi合金层的Ni等的表面扩散，可以提供低电阻的欧姆电极结构体及具有该欧姆电极结构体的半导体元件。
欧姆电极结构半导体元件

[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法-CN200810213599.1无效
发明人：鹿岛孝之;牧田幸治;吉川兼司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种高输出功率、低成本的单片式双波长或其以上的多波长的激光器装置。半导体激光器装置，具备第1半导体激光器元件(12)和第2半导体激光器元件(13)。第1半导体激光器元件(12)，具有作为形成在端面附近的包含第1杂质的区域的第1端面窗构造(41)；第2半导体激光器元件，具有作为形成在端面附近的包含第2杂质的区域的第2端面窗构造(42)。从第1活性层(23)的下端到第1端面窗构造(41)的下端的距离，比从第2活性层(33)的下端到第2端面窗构造(42)的下端的距离短。
半导体激光器装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200610071540.4无效
发明人：鹿岛孝之;牧田幸治;吉川兼司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：在一种能高功率输出的单片双波长半导体激光装置中，通过共同的步骤为每个激光器单元形成窗口结构，由此提高了该装置的可靠性。该半导体激光装置具有单片集成在n型半导体衬底101上的红外激光器单元110和红色激光器单元120。红外和红色激光器单元110和120的每一个都具有在每个谐振器端面上由Zn扩散形成的脊形波导和窗口结构。红外和红色激光器单元110和120包括在各自波导脊上的p型接触层109和119。p型接触层109薄于p型接触层119。
半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光元件及其制造方法-CN200610153128.7无效
发明人：鹿岛孝之;牧田幸治;吉川兼司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-07 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：一种半导体激光元件，包括：第1导电型的半导体基板(1)；第1导电型的包覆层(3)，设置在半导体基板上；活性层(4)，设置在第1导电型的包覆层上；第2导电型的第1包覆层(5)，设置在活性层上；第2导电型的第2包覆层(7)，设置在第1包覆层上，形成沿谐振器方向延长的脊状波导；第2导电型的接触层(9)，设置在第2导电型的第2包覆层上；端面窗结构(11)，杂质扩散到谐振器方向的端面部的活性层区域，能带间隙比作为该端面部以外的部分的增益区域扩大；在第2导电型的包覆层中，与端面窗结构的区域的杂质浓度相比，增益区域的杂质浓度相同或更大。形成折射率变化小的端面窗结构，电阻比以往高，抑制向谐振器方向的Zn扩散。
半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]半导体激光元件及其制造方法-CN200410096214.X无效
发明人：牧田幸治;吉川兼司;鹿岛孝之;足立秀人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
半导体激光元件及其制造方法

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