[发明专利]一种铂薄膜温度传感器的封装方法在审
申请号: | 202110812041.0 | 申请日: | 2021-07-19 |
公开(公告)号: | CN113529037A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 仲锐方;范亚明;吕伟明;李淑君;罗凌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C03C8/24;C23C14/06;C23C14/04;C23C14/58 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明揭示了一种铂薄膜温度传感器的封装方法,所述铂薄膜温度传感器包括陶瓷衬底和覆设在陶瓷衬底表面的铂薄膜电阻,所述封装方法包括:采用磁控溅射法在所述陶瓷衬底上形成能够掩盖铂薄膜电阻的AlN保护层,以将铂薄膜电阻与外部环境隔离。本发明提供的铂薄膜温度传感器的封装方法,采用磁控溅射工艺制备ALN保护层,磁控溅射有低温高速的特点,所制备薄膜内应力小,薄膜紧密,均匀性好;ALN耐高温,抗冲击,热导率高,导热性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 温度传感器 封装 方法 | ||
【主权项】:
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