[发明专利]电压裕度增强型电容耦合存算一体单元、子阵列及装置有效
| 申请号： | 202110688339.5 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113255904B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;史万武;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科院微电子研究所南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 韩雪梅 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电压裕度增强型电容耦合存算一体单元、子阵列及装置，单元包括6T存储单元和计算单元；计算单元包括：晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10、晶体管T11、晶体管T12以及耦合电容C。本发明公开的电压裕度增强型电容耦合存算一体单元对耦合电容进行充电，相比单端充电方式节省50%的充电时间，加速计算过程；若充电时间相同，则耦合电容两端的电压值则为单端充电方式的2倍，这样在ADC量化过程中读位线上的电压量化范围在理论上将会有2倍的提升。同样在放电过程中，放电通道也为两条，放电速度在理论上也是单端放电的两倍，进一步加速了计算过程。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 增强 电容 耦合 一体 单元 阵列 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科院微电子研究所南京智能技术研究院，未经中科院微电子研究所南京智能技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110688339.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
