专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多比特全数字存内计算电路、方法及存储器-CN202310429672.3在审
  • 乔树山;曹景楠;游恒;尚德龙;周玉梅 - 中科南京智能技术研究院
  • 2023-04-20 - 2023-09-15 - G06G7/16
  • 本发明公开了一种多比特全数字存内计算电路、方法及存储器,涉及人工智能技术领域,存内计算电路包括移位加法模块、至少两个存储模块以及至少两个乘法电路,至少两个存储模块包括第一存储模块,至少两个乘法电路包括第一乘法电路,第一乘法电路包括:第一与门,第一与门的第一输入端用于接收待计算的二进制数字信号的单个电平信号,第一与门的第二输入端与第一存储模块的输出端连接;第一开关,第一开关的输入端与第一与门的输出端连接,第一开关的输出端与移位加法模块的第一输入端连接,移位加法模块的输出端输出乘累加结果。本申请相较于传统的模拟域的存内计算结构和冯诺依曼结构,提高了计算精度和计算速度。
  • 一种比特数字计算电路方法存储器
  • [发明专利]一种低功耗脉动阵列电路、芯片及电路控制方法-CN202310758764.6在审
  • 乔树山;张默寒;游恒;尚德龙;周玉梅 - 中科南京智能技术研究院
  • 2023-06-26 - 2023-09-05 - G06F7/52
  • 本发明公开了一种低功耗脉动阵列电路、芯片及电路控制方法,涉及集成电路技术领域,阵列计算电路,阵列计算电路用于计算矩阵脉动阵列;计算时钟电路,计算时钟电路的第一输入端接收系统时钟信号,当开始计算时,输入计算启动信号,计算时钟电路的第二输入端接收计算启动信号,计算时钟电路的输出端输出计算时钟信号至阵列计算电路,阵列计算电路工作。本申请增加了计算时钟电路,当开始计算时,输入计算启动信号至计算时钟电路,计算时钟电路工作,阵列计算电路工作;不计算时,停止输入计算启动信号,计算时钟电路停止工作,阵列计算电路也停止工作,降低了脉动阵列电路的功耗。
  • 一种功耗脉动阵列电路芯片控制方法
  • [发明专利]一种存内计算电路及控制方法-CN202310685823.1在审
  • 乔树山;曹景楠;游恒;尚德龙;周玉梅 - 中科南京智能技术研究院
  • 2023-06-09 - 2023-09-05 - G06F15/78
  • 本申请公开一种存内计算电路及控制方法,涉及存内计算技术领域,其中,存内计算电路包括:存储阵列,所述存储阵列包括多个存储单元;传输门阵列,所述传输门阵列包括多个传输门单元,所述传输门单元与所述存储单元一对一电连接;多个乘法器,每个所述乘法器与一行所述传输门单元电连接,或,每个所述乘法器与一列所述传输门单元电连接;所述传输门单元用于基于筛选信号控制所述存储单元向所述乘法器输出存储数据。可以解决现有数字域存算电路中运算器件数量多,占用电路面积大的问题。
  • 一种计算电路控制方法
  • [发明专利]一种基于动态逻辑乘法的单比特全数字存内计算单元-CN202310662686.X在审
  • 乔树山;曹景楠;游恒;尚德龙;周玉梅 - 中科南京智能技术研究院
  • 2023-06-06 - 2023-08-15 - G06F7/523
  • 本发明公开了一种基于动态逻辑乘法的单比特全数字存内计算单元,包括输入驱动模块、SRAM阵列、触发器阵列、加法器;输入驱动模块的每个输出端分别连接至SRAM阵列中每行SRAM存储单元的输入端,用于提供输入激励信号;每行SRAM存储单元用于存储权重信息;触发器阵列中每行触发器的输入端分别连接至每行SRAM存储单元的输出端,用于寄存输出结果并进行同步操作;加法器的每个输入端分别连接至每行触发器的输出端,用于对同步操作后的输出结果进行累加操作;本发明相对于模拟域的存内计算,数字域的存内计算结构输出结果都为准确值且受到的噪声源干扰较小;采用的动态逻辑相对于传统的与门乘法器减少了晶体管的使用数量,减小了面积消耗。
  • 一种基于动态逻辑乘法比特数字计算单元
  • [发明专利]一种双-6T SRAM结构的存内计算装置-CN202010748938.7有效
  • 乔树山;陶皓;尚德龙;周玉梅 - 中科南京智能技术研究院
  • 2020-07-30 - 2023-08-11 - G11C11/41
  • 本发明涉及一种双‑6T SRAM结构的存内计算装置。该装置包括:奇偶双通道阵列、T6T SRAM单元阵列、全局‑局部参考电压产生模块、两位补码处理模块和输出组合器,奇偶双通道阵列用于将输入数据分别利用奇数通道和偶数通道输入至T6T SRAM单元阵列,T6T SRAM单元阵列用于将输入数据进行存储和计算;T6T SRAM单元阵列与全局‑局部参考电压产生模块连接,全局‑局部参考电压产生模块与两位补码处理模块连接,两位补码处理模块用于将T6T SRAM单元阵列计算后的数据进行补码操作,输出组合器和两位补码处理模块连接,输出组合器用于将补码操作后的数据进行累加结合,得到最终的输出数据。本发明能够减少中间数据的产生,降低功耗。
  • 一种sram结构计算装置
  • [发明专利]一种存内乘累加计算电路、方法及存储器-CN202310398335.2在审
  • 乔树山;曹景楠;游恒;尚德龙;周玉梅 - 中科南京智能技术研究院
  • 2023-04-14 - 2023-08-08 - G06F15/78
  • 本发明公开了一种存内乘累加计算电路、方法及存储器,涉及人工智能技术领域,计算电路包括:存储模块,用于存储权重数据;乘法模块,用于接收权重数据以及二进制数字信号,乘法模块根据权重数据与第一二进制数字信号计算出第一乘结果,乘法模块根据权重数据与第二二进制数字信号计算出第二乘结果;移位加法器,用于接收第一乘结果,移位加法器将第一乘结果与初始移位结果累加后输出第一累加结果,移位加法器将第一累加结果左移位后得到第一移位结果,移位加法器接收第二乘结果,并将第二乘结果与第一移位结果累加后输出第二累加结果。本申请解决了传统存内计算方法不稳定的问题,以及内存内乘累加计算电路的设计,增加了数据处理的速度。
  • 一种存内乘累加计算电路方法存储器

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