[发明专利]一种固体装配型压电薄膜体声波谐振器及其制造方法在审
申请号: | 202110674896.1 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113472306A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 陈益钢;孙盈 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种固体装配型压电薄膜体声波谐振器及其制造方法,利用自顶而下的方法制备固体装配型薄膜体声波谐振器,它主要包括自顶而下的制备工艺和薄膜键合技术以及牺牲衬底去除技术。与传统的方法相比,由于压电薄膜直接生长在光滑的单晶表面,因而减少了薄膜内应力和粗糙度对薄膜质量的影响,有利于提高压电薄膜的c轴择优取向性。通过层转移技术以及牺牲衬底去除技术最终得到固体装配型薄膜体声波谐振器结构,从而得到性能良好的SMR‑FBAR器件,可以提高器件的品质因子和机电耦合系数。本发明提供了一种制备高性能压电薄膜器件的思路。 | ||
搜索关键词: | 一种 固体 装配 压电 薄膜 声波 谐振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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- 本发明公开了一种三维(3D)体声波(BAW)谐振器,包括:压电膜阵列,包括在衬底与盖帽层之间垂直且水平分布的多个压电膜,垂直方向上相邻压电膜之间具有多个第一空腔,水平的第一方向上相邻压电膜之间具有共用的第二空腔,水平的第二方向上相邻压电膜之间具有共用的第三空腔;多个电极层,至少覆盖每个第一空腔的顶面和底面;电极互连层,沿第三空腔侧面依次连接所述多个电极层;多个焊垫,至少部分地插入第三空腔中以电连接各个电极互连层。依照本发明的3DBAW谐振器及其制造方法,采用CMOS兼容工艺制造了其中多个空腔包围压电膜的立体谐振器,减小了体积、增加了集成度,降低了成本。
- 一种圆柱形晶振封装装置-202320596572.5
- 邱振波 - 大晶(广东)电子有限公司
- 2023-03-24 - 2023-09-05 - H03H3/02
- 本实用新型属于晶振封装领域,尤其是一种圆柱形晶振封装装置,针对现有的只对封装上板和封装下板进行了定位,但是没有对封装板和过渡板之间进行定位,在把过渡板放置在封装板上、封装板和过渡板进行翻转时易出现滑动,偏移,导致圆柱形通孔和圆环状盲孔没有一一对齐问题,现提出如下方案,其包括封装主体,封装主体包括有摇床、摇板、封装板、过渡板和隔板,所述摇板设置在摇床上,所述封装板由下板和上板组成,所述隔板放置在下板上,所述上板放置在隔板上,所述过渡板放置在上板上,所述上板上开设有多个通孔,通过第一定位机构可以对摇板和过渡板之间进行定位,通过第二定位机构可以对上板和过渡板之间进行定位,防止在翻转时出现移动。
- 一种体声波谐振器的制备方法和封装方法-202310926926.2
- 梁骥;邹洁;唐供宾 - 深圳新声半导体有限公司
- 2023-07-27 - 2023-09-01 - H03H3/02
- 本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法和封装方法,属于体声波谐振器技术领域。本发明首先提供预设结构的前驱体器件,在所述前驱体器件的上表面键合第一晶圆,然后去除所述前驱体器件中的第一衬底,得到待成腔器件;按照第一空腔的形状对第二晶圆进行刻蚀,然后与所述待成腔器件的过渡层键合,或者,将所述待成腔器件的过渡层与第一键合层键合,按照第一空腔的形状对所述过渡层与第一键合层进行刻蚀,然后与第二晶圆键合,或者,按照第一空腔的形状对所述过渡层进行刻蚀,然后与第二晶圆键合,得到成腔器件;将所述成腔器件中第一晶圆去除,得到体声波谐振器。本发明形成谐振空腔时避免使用释放牺牲层的方法,有利于提高产品良率。
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