[发明专利]单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法有效
| 申请号： | 201811603819.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109831173B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 庞慰;孙崇玲;杨清瑞;张孟伦 | 申请（专利权）人： | 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/56 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法。该形成方法包括：在供体基底之上形成压电结构和底电极，其中底电极在压电结构之上；在转移基底的顶表面形成空腔；将压电结构和底电极脱离供体基底并且倒置转移到转移基底之上，并且其中，倒置转移完毕后底电极在转移基底之上并且覆盖空腔，压电结构在底电极之上；在压电结构之上形成顶电极。该方法简便易行，该谐振器性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 声波 谐振器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶压电薄膜体声波谐振器的形成方法，其特征在于，包括：在供体基底之上形成压电结构和底电极，其中所述底电极在所述压电结构之上；在转移基底的顶表面形成空腔；将所述压电结构和所述底电极脱离所述供体基底并且倒置转移到所述转移基底之上，并且其中，倒置转移完毕后所述底电极在所述转移基底之上并且覆盖所述空腔，所述压电结构在所述底电极之上；在所述压电结构之上形成顶电极。
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