[发明专利]一种薄膜晶体管以及制备方法在审
| 申请号： | 202110625920.2 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113314615A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;李民;周雷;徐华;李洪濛;庞佳威;彭俊彪;王磊;邹建华;陶洪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管以及制备方法。该薄膜晶体管包括：衬底；栅极；栅极绝缘层；有源层，有源层位于栅极绝缘层背离栅极的表面，有源层包括源区、漏区以及沟道区；第一钝化层，第一钝化层位于有源层背离栅极绝缘层一侧的表面，第一钝化层设置有第一凹槽和第二凹槽，在平行于衬底的方向上，第一凹槽和第二凹槽邻近沟道区的侧壁与沟道区间隔第一预设距离，第一预设距离大于或等于0.3微米，且小于或等于3微米；漏极和源极位于第一钝化层背离有源层一侧的表面。本发明实施例提供的技术方案降低了薄膜晶体管中，有源层的沟道区的预设长度和实际长度之间的差距。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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