[发明专利]一种薄膜晶体管以及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；

栅极，所述栅极位于所述衬底的表面；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极背离所述衬底的表面，并延伸至所述衬底的表面；

有源层，所述有源层位于所述栅极绝缘层背离所述栅极的表面，所述有源层包括源区、漏区以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区，所述源区的导电率大于所述沟道区的导电率，且所述漏区的导电率大于所述沟道区的导电率，其中，所述有源层包括金属氧化物半导体材料或者碳纳米管；

第一钝化层，所述第一钝化层位于所述有源层背离栅极绝缘层一侧的表面，且所述第一钝化层覆盖所述沟道区、部分所述源区和部分所述漏区并延伸至所述衬底的表面，所述第一钝化层设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽露出部分所述源区，所述第二凹槽露出部分所述漏区，在平行于所述衬底的方向上，所述第一凹槽邻近所述沟道区的侧壁与所述沟道区间隔第一预设距离，所述第二凹槽邻近所述沟道区的侧壁与所述沟道区间隔所述第一预设距离，所述第一预设距离大于或等于0.3微米，且小于或等于3微米；

漏极和源极，所述漏极和所述源极位于所述第一钝化层背离所述有源层一侧的表面，且所述漏极通过所述第二凹槽与所述漏区连接，所述源极通过所述第一凹槽与所述源区连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在平行于所述衬底的方向上，所述第一预设距离大于或等于0.8微米，且小于或等于1.5微米。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括沟道保护层，所述沟道保护层位于所述有源层背离所述栅极绝缘层一侧的表面，且所述沟道保护层在所述有源层的投影覆盖所述沟道区；

相应的，所述第一钝化层位于所述沟道保护层背离所述有源层一侧的表面，且所述第一钝化层延伸至所述沟道保护层的侧面、所述有源层的部分表面和所述衬底的表面。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底包括透明衬底；

所述栅极包括不透明栅极，其中，所述不透明栅极在所述衬底的投影和所述沟道区在所述衬底的投影重合。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极在所述衬底的投影面积大于所述漏极在所述衬底的投影面积，且所述源极在所述衬底的投影覆盖部分或全部所述沟道区在所述衬底的投影。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；

在所述衬底的表面形成栅极；

在所述栅极背离所述衬底的表面形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层延伸至所述衬底的表面；

在所述栅极绝缘层背离所述栅极的表面形成有源层，其中，所述有源层包括源区、漏区以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区，所述有源层包括金属氧化物半导体材料或者碳纳米管；

在所述有源层背离栅极绝缘层一侧的表面形成第一钝化层，其中，所述第一钝化层覆盖所述沟道区、部分所述源区和部分所述漏区并延伸至所述衬底的表面，所述第一钝化层设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽露出部分所述源区，所述第二凹槽露出部分所述漏区，在平行于所述衬底的方向上，所述第一凹槽邻近所述沟道区的侧壁与所述沟道区间隔第一预设距离，所述第二凹槽邻近所述沟道区的侧壁与所述沟道区间隔所述第一预设距离，所述第一预设距离大于或等于0.3微米，且小于或等于3微米；

以所述第一钝化层作为掩膜版对所述源区和所述漏区进行高导化处理，其中，所述源区的导电率大于所述沟道区的导电率，且所述漏区的导电率大于所述沟道区的导电率；

在所述第一钝化层背离所述有源层一侧的表面形成源极和漏极，且所述漏极通过所述第二凹槽与所述漏区连接，所述源极通过所述第一凹槽与所述源区连接。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一预设距离大于或等于0.8微米，且小于或等于1.5微米。