[发明专利]一种氮化物高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110543404.5 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113314590B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 薛军帅;孙志鹏;郝跃;张进成;杨雪妍;姚佳佳;吴冠霖;李祖懋 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335;H01L23/373 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;李勇军 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物电子器件在高压高功率工作时热积累效应和散热问题。其自下而上包括高热导率衬底(1)、沟道层(4)、插入层(5)、势垒层(6)，其中，该衬底(1)与沟道层(4)之间设有键合层(2)和背势垒层(3)，该势垒层(6)的上部依次设有势垒保护层(7)和绝缘栅介质层(8)，该绝缘栅介质层(8)上设置栅电极；该插入层(5)至绝缘栅介质层(8)的两侧均为欧姆接触区，其上分别设置源电极和漏电极。本发明器件输出功率高，极大地改善器件自热效应，提高器件散热能力和工作可靠性，且制作工艺简单，一致性高，可用于高频微波功率放大器和微波毫米波集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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