[发明专利]一种FET器件及制造方法在审
| 申请号： | 202110447249.7 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113178482A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 曹路;宋凤麒;刘翊;张同庆 | 申请（专利权）人： | 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在衬底上形成的晶体管，包括：源区域；漏区；在源极区和漏极区之间延伸的沟道区；将源极区，漏极区和金属栅极耦合到多层金属互连结构上接触；和分子簇薄膜，其与金属栅极的导电金属部分接触，该分子簇薄膜包括纳米级分子簇，所述纳米级分子簇包括至少两个不同的键合原子，所述纳米级分子簇具有确定原子结构的电特性的选定原子结构；晶体管的分子簇薄膜位于金属栅极的导电金属部分和沟道区之间；所述分子簇薄膜包括单体，二聚体，三聚体和四聚体中的一种或多种；所述分子簇薄膜是所述金属栅极区域内的功函数金属膜，并且电特性是激活所述晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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