[发明专利]一种射频阵列薄膜器件及其制备、键合和集成方法在审
| 申请号： | 202110424077.1 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113130662A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王幸福;陈鑫;董建奇 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/762;H01L21/78;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频阵列薄膜器件及其制备、键合和集成方法，射频阵列薄膜器件包括自下而上依次设置的外延结构、电极层、栅介质层和支撑层；所述电极层为图形化电极层，在所述栅介质层上对应所述电极层上各电极的位置开设有通孔，各通孔内填充为电极材料，各电极从对应通孔中凸出所述栅介质层，所述支撑层覆盖所述栅介质层和各所述电极；所述外延结构包括自下而上依次设置的未掺杂GaN成核层、重掺杂GaN牺牲层和目标层，所述目标层为AlGaN/AlN/GaN异质结。本发明实现整体剥离，有效的解决了刚性衬底热导率低且应用受限等缺点，拓宽了射频阵列薄膜器件的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 阵列 薄膜 器件 及其 制备 集成 方法 | ||
【主权项】：
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