[发明专利]存储器的制作方法及存储器有效
申请号: | 202110406663.3 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN112951770B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 白卫平;朱丽;应战 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L27/108 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;刘芳 |
地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种存储器的制作方法及存储器,涉及存储设备技术领域,用于解决存储速度和存储效率较低的技术问题,该制作方法包括:提供基底,基底内设有多个间隔设置的电容接触垫;在每个电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽;在第一凹槽内形成导电柱,导电柱的上端面与电容接触垫的第一表面齐平;在基底上形成多个电容器,多个电容器与多个电容接触垫一一对应且电连接;每个电容器的第一极板覆盖对应的导电柱,且第一极板的材质与导电柱的材质相同。通过在电容接触垫内设置导电柱,且导电柱和第一极板材质相同,增加了导电柱和第一极板作为一个整体与电容接触垫的接触面积,减少电容器与电容接触垫的接触电阻,从而提高存储效率和存储速度。 | ||
搜索关键词: | 存储器 制作方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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