[发明专利]用于封装制造的激光烧蚀在审
| 申请号： | 202110290683.9 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113643983A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | K·莱斯彻基什;类维生;J·L·富兰克林;J·德尔马斯;陈翰文;G·帕克;S·文哈弗贝克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/52;H01L23/495;B23K26/0622;B23K26/362 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于封装制造的激光烧蚀。制造封围一个或多个半导体晶粒的框架的方法包括通过第一激光烧蚀工艺在基板中形成包括一个或多个空腔和一个或多个穿孔的一个或多个特征，在一个或多个穿孔中填充电介质材料，以及通过第二激光烧蚀工艺在填充于一个或多个穿孔中的电介质材料中形成通孔中通孔。一个或多个空腔被配置为在其中封围一个或多个半导体晶粒。在第一激光烧蚀工艺中，基于一个或多个特征的深度调整照射基板的第一脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。在第二激光烧蚀工艺中，基于通孔中通孔的深度调整照射电介质材料的第二脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 封装 制造 激光 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110290683.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
