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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于基板的激光加工的设备和方法-CN202180095318.0在审
发明人： J·L·富兰克林;V·弗林;G·切莱雷;S·文哈弗贝克;K·莱斯彻基什;陈翰文;朴起伯 -专利权人：应用材料意大利有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B23K26/082 文献下载
摘要：提供一种用于在基板中钻孔的设备。设备包括激光系统，所述激光系统被配置成通过将激光束以一序列导引至与基板上的区域集合相对应的预定义位置上来将激光束施加至基板上以用于从基板上的区域集合移除材料。设备包括通风系统，所述通风系统被配置成沿着基板的一个或多个侧面产生流体流动。设备控制激光束，使得激光束根据第一激光束移动方向和第二激光束移动方向相继定位。
用于激光加工设备方法

[发明专利]用于使用保护阻挡物层制造半导体结构的设备和方法-CN201880058936.6有效
发明人： P·曼纳;A·B·玛里克;K·莱斯彻基什;S·文哈弗贝克;江施施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供形成包括含硅(Si)层或硅锗(SiGe)层的半导体结构的方法。此方法包括在半导体结构之上沉积保护阻挡物(例如，衬垫)层，在衬垫层之上形成可流动介电层，以及将可流动介电层暴露于高压蒸气。一种群集系统包括配置以形成半导体结构的第一沉积腔室、配置以执行衬垫沉积工艺以形成衬垫层的第二沉积腔室、配置以在衬垫层之上形成可流动介电层的第三沉积腔室、配置以将可流动氧化物层暴露于高压蒸气的退火腔室。
用于使用保护阻挡制造半导体结构设备方法

[发明专利]用于激光钻孔盲通孔的方法和设备-CN202180060651.8在审
发明人：类维生;K·莱斯彻基什;R·胡克;S·文哈弗贝克;V·斯瓦拉马克瑞希楠 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：在实施例中，提供了一种在包含掩模层、导电层和介电层的基板中形成盲通孔的方法，包括以下步骤：将基板传送到扫描腔室；确定盲通孔的一种或多种性质，所述一种或多种性质包含顶部直径、底部直径、容积、或约80°或更大的锥角；将激光束聚焦在基板处，以移除掩模层的至少一部分；基于一种或多种性质调整激光工艺参数；以及在经调整的激光工艺参数下聚焦激光束以移除容积内的介电层的至少一部分，以形成盲通孔。在一些实施例中，掩模层可以是预蚀刻的。在另一个实施例中，提供了一种用于在基板中形成盲通孔的设备。
用于激光钻孔盲通孔方法设备

[发明专利]具内置EMI屏蔽的封装结构-CN202180071875.9在审
发明人： S·文哈弗贝克;陈翰文;朴起伯;C·布赫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本公开涉及具有集成的电磁干扰(“EMI”)屏蔽件的薄形状因子半导体封装和用于其形成的方法。本文描述的封装可用于形成高密度半导体器件。在某些实施例中，硅基板经激光剥蚀以包括一个或多个空腔和围绕空腔的多个通孔。一个或多个半导体管芯可放置在空腔内并且此后在其上形成绝缘层之后嵌入基板中。多个导电互连形成在通孔内并且可具有再分布到管芯嵌入的基板组件的期望表面的接触点。此后，将EMI屏蔽件镀覆到管芯嵌入的基板组件的表面上并且通过一个或多个导电互连中的至少一者连接到接地。管芯嵌入的基板组件可随后切单和/或与另一半导体器件集成。
内置 emi 屏蔽封装结构

[发明专利]形成具有缩减直径的微穿孔的方法-CN202180068993.4在审
发明人： C·布赫;R·胡克;S·文哈弗贝克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：公开一种用于形成用于封装应用的微穿孔的方法。开发了牺牲光敏材料用于形成具有缩减的直径和改善的放置精度的微穿孔。微穿孔由导电材料填充，并且周围的电介质被移除并且被替换为RDL聚合物层。
形成具有缩减直径穿孔方法

[发明专利]用于改进的聚合物-铜粘附的方法-CN202180051305.3在审
发明人： T·查克拉博蒂;S·文哈弗贝克;陈翰文;C·布赫;P·古拉迪雅;朴起伯;K·赵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：描述了形成电路板的方法和使用粘附层的电路板。将具有两个表面的基板暴露于双官能有机化合物，以在第一基板表面上形成粘附层。随后在粘附层和暴露的基板表面上沉积树脂层。可移除树脂层的一部分以暴露用于接触的金属衬垫。
用于改进聚合物粘附方法

[发明专利]用于封装制造的激光烧蚀系统-CN202180048402.7在审
发明人： K·莱斯彻基什;J·L·富兰克林;类维生;S·文哈弗贝克;J·德尔马斯;陈翰文;朴起伯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B23K26/359 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。
用于封装制造激光系统

[发明专利]封装核心组件及制造方法-CN202080082028.8在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;朴起伯;K·赵;K·莱斯彻基什;R·胡克;C·布赫;V·迪卡普里奥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。
封装核心组件制造方法

[发明专利]封装核心组件及制造方法-CN202080081984.4在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;朴起伯;K·赵;K·莱斯彻基什;R·胡克;C·布赫;V·迪卡普里奥;B·斯托纳斯;J·德尔马斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。
封装核心组件制造方法

[发明专利]封装基板的平面化方法-CN202080038429.3在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;T·查克拉博蒂;P·利安托;P·S·古拉迪雅;徐源辉;朴起伯;C·布赫;P·G·甘;A·洪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开的实施例总体涉及基板上的表面和在基板上形成的层上的表面的平面化。更具体地，本公开的实施例涉及用于先进封装应用的基板上的表面(诸如聚合材料层的表面)的平面化。在一个实施方式中，方法包括在第一抛光工艺期间在存在研磨浆料的情况下抵靠抛光表面机械研磨基板表面，以移除在基板上形成的材料的一部分；以及随后在第二抛光工艺期间在存在抛光浆料的情况下抵靠抛光表面化学机械抛光基板表面，以减少由第一抛光工艺造成的任何粗糙度或不平坦。
封装平面化方法

[发明专利]基板结构化方法-CN202080034737.9在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;朴起伯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。
板结方法

[发明专利]封装结构及制作方法-CN202080034788.1在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;朴起伯;G·切莱雷;D·托尼尼;V·迪卡普里奥;曹圭一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开关于用于形成薄形状系数半导体封装的方法及设备。在一个实施例中，通过微喷或激光烧蚀来构造玻璃或硅基板，以形成用于通过基板而形成互连的结构。而后，将基板用作框架以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。
封装结构制作方法

[发明专利]用于异质封装集成的重构基板结构和制造方法-CN202080034003.0在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;徐源辉;朴起伯;G·切莱雷;D·托尼尼;V·迪卡普里奥;曹圭一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本公开内容涉及薄的外形因数的重构基板及其形成方法。本文所述的重构基板可用于制造同质或异质的高密度3D集成器件。在一个实施例中，通过直接激光图案化将硅基板结构化成包括一个或多个腔和一个或多个通孔。可将相同或不同类型的一个或多个半导体管芯放置在腔内，然后在其上形成绝缘层之后将其嵌入基板中。在通孔中形成一个或多个导电互连，并且所述一个或多个导电互连可具有重新分配到重构基板的期望表面的接触点。然后，可将重构基板整合到堆叠式3D器件中。
用于封装集成重构基板结制造方法

[发明专利]用于封装制造的激光烧蚀-CN202110290683.9在审
发明人： K·莱斯彻基什;类维生;J·L·富兰克林;J·德尔马斯;陈翰文;G·帕克;S·文哈弗贝克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：公开了用于封装制造的激光烧蚀。制造封围一个或多个半导体晶粒的框架的方法包括通过第一激光烧蚀工艺在基板中形成包括一个或多个空腔和一个或多个穿孔的一个或多个特征，在一个或多个穿孔中填充电介质材料，以及通过第二激光烧蚀工艺在填充于一个或多个穿孔中的电介质材料中形成通孔中通孔。一个或多个空腔被配置为在其中封围一个或多个半导体晶粒。在第一激光烧蚀工艺中，基于一个或多个特征的深度调整照射基板的第一脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。在第二激光烧蚀工艺中，基于通孔中通孔的深度调整照射电介质材料的第二脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。
用于封装制造激光

[发明专利]高连接性装置堆叠-CN202110256865.4在审
发明人： K·莱斯彻基什;陈翰文;S·文哈弗贝克;G·帕克;K·赵;J·L·富兰克林;类维生 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及堆叠的小型化电子装置及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体装置间隔件及其形成方法。本文描述的半导体装置间隔件可以用于形成堆叠的半导体封装组件、堆叠的PCB组件等等。
连接装置堆叠

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