[发明专利]一种高耐压双栅极横向HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110259511.5 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113469B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 尹以安;李佳霖 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐压双栅极横向HEMT器件，包括位于衬底上的缓冲层以及依次层叠于缓冲层上的GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层组成的叠层，还包括p型埋层、位于p型埋层上的栅极和位于势垒层上的源/漏极和Γ型栅；沿厚度方向上，p型埋层自缓冲层靠近沟道层的表面朝向缓冲层中远离沟道层的一侧延伸一定深度；源极和漏极位于势垒层表面；源极和漏极之间设置一栅槽，Γ型栅位于栅槽中并朝向漏极一侧延伸；沿长度方向上，p型埋层自栅极下方延伸至栅槽下方。通过p型埋层的引入、双栅结合AlGaN/AlN/GaN异质结的结构设置，本发明获得了低导通电阻、高饱和电流、高击穿电压和低泄漏电流HEMT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 栅极 横向 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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