[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110258208.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112908857A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨辉;陈宏;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：先形成第一沟槽，然后形成位于第一沟槽的侧壁上至少且从栅间介质层的侧壁延伸到部分第一氮化层的侧壁上的第二氮化层。去除第一沟槽底壁暴露出的浮栅层，以在浮栅层中形成第二沟槽。对第二氮化层进行侧向刻蚀，以减薄第二氮化层，使第二氮化层的底部能暴露出部分浮栅层的顶部拐角。形成隧穿介质层，且至少覆盖第二沟槽中的浮栅层被暴露的表面。最后形成字线，以填充第一沟槽和第二沟槽。因此，本发明无需单独形成氧化层来形成浮栅的拐角，仅需通过减薄第二氮化层的方式即可实现。不仅能通过增加浮栅层和字线之间的相对覆盖面积来提高器件擦除性能，还精简制备流程，工艺简单，降低时间成本和经济成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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