[发明专利]化学气相沉积方法有效
| 申请号： | 202110257089.X | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113046731B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 徐兴国;张凌越;姜波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/30;C23C16/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学气相沉积方法，首先根据第一化学气相沉积工艺的工艺时间、第二膜层的厚度、第一累积厚度、第二累积厚度、第二膜层的目标厚度，预设第二膜层所需的工艺时间；然后根据预设的第二膜层所需的工艺时间执行第二化学气相沉积工艺，以在所述第二半导体衬底上形成所述目标厚度的第二膜层，如此能够根据反应腔内壁上的副产物的厚度实时调整第二膜层所需的工艺时间，从而能够准确的控制第二膜层所需的工艺时间，进而在所述第二半导体衬底上形成所述目标厚度的第二膜层，从而解决膜层的实际厚度与膜层的目标厚度之间存在较大的差距的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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