[发明专利]一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202110147809.7 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112768509B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张振中;郝建勇;俞鑫罡 | 申请（专利权）人： | 杭州中瑞宏芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 | 代理人： | 郑双根 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法,包括N型硅衬底层(1)，N型硅衬底层(1)表面分布有若干沟槽(2)，沟槽(2)内侧设有P+衬底结构(3)，N型硅衬底层(1)的外部设有N型硅外延层(4)，N型硅外延层(4)的内侧将沟槽(2)完全填充。本发明通过在N型硅衬底层表面形成的沟槽和P+衬底结构的配合，能够有效提高FRD二极管的反向恢复时间和高温可靠性，并避免对产线造成的污染；同时，沟槽的设置还能够提高FRD二极管的电流密度，从而在提高性能的基础上弥补因工艺造成的正向导通压降增大问题，使本发明同时具有反向恢复时间短、无产线污染和正向导通压降小的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 恢复时间 frd 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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