[实用新型]一种IGBT半桥模块结构有效
| 申请号： | 201820785462.2 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN208157401U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 姜维宾;孙叔翔;徐冰;臧天程 | 申请（专利权）人： | 烟台台芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种IGBT半桥模块结构，左路DBC上设有左路IGBT芯片和左路FRD芯片，左路IGBT芯片和左路FRD芯片通过锡膏焊接在左路DBC上端，左路IGBT芯片引出有左路G极信号端子，左路FRD芯片引出有左路E极信号端子；右路DBC上设有右路IGBT芯片和右路FRD芯片，右路IGBT芯片和右路FRD芯片通过锡膏焊接在右路DBC上端，右路IGBT芯片与右路FRD芯片连接，右路IGBT芯片引出有右路G极信号端子和右路E极信号端子。本实用新型摒弃单芯铜导线焊接方案，采用键合打线连接，降低了生产难度，提高了生产效率，提升了产品电流承载能力，增强产品长期使用的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 信号端子 焊接 本实用新型 上端 锡膏 电流承载能力 打线连接 生产难度 生产效率 铜导线 单芯 键合 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT半桥模块结构，所述IGBT半桥模块包括基板，基板上设有覆铜层，所述基板形成有左路DBC和右路DBC，其特征在于：所述左路DBC上设有左路IGBT芯片和左路FRD芯片，所述左路IGBT芯片和左路FRD芯片通过锡膏焊接在所述左路DBC上端，左路IGBT芯片引出有左路G极信号端子，左路FRD芯片引出有左路E极信号端子；所述右路DBC上设有右路IGBT芯片和右路FRD芯片，所述右路IGBT芯片和右路FRD芯片通过锡膏焊接在所述右路DBC上端，右路IGBT芯片与所述右路FRD芯片连接，右路IGBT芯片引出有右路G极信号端子和右路E极信号端子；所述左路G极信号端子、左路E极信号端子、右路G极信号端子和右路E极信号端子分别通过锡膏焊接在所述右路DBC侧部。
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- 本发明提供一种能够同时防止焊料流动和抑制激光加工残余物的卡阻物的半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)包括：半导体芯片(20)；固定有半导体芯片(20)的多个绝缘基板(2)；散热片(1)，该散热片(1)具有分别包围多个规定配置区域中的各个区域的多个第一沟槽(3)和比第一沟槽(3)浅且包围第一沟槽(3)的第二沟槽(4)，其中，所述规定配置区域中分别配置有多个绝缘基板(2)；以及，焊料(6)，该焊料(6)填充于绝缘基板(2)与散热片(1)的配置区域之间。
- 一种高可靠IGBT功率模块-201920018927.6
- 陈宇 - 朝阳无线电元件有限责任公司
- 2019-01-07 - 2019-08-16 - H01L25/07
- 本实用新型公开了一种高可靠IGBT功率模块，包括管壳和氮化铝覆铜基板，所述管壳包括管壳底座、侧壁和外引线，所述氮化铝覆铜基板通过高温焊接安置于所述管壳底座上，且氮化铝覆铜基板上通过软焊料真空共晶焊接有IGBT芯片和软恢复二极管芯片，所述氮化铝覆铜基板上设有焊盘。该高可靠IGBT功率模块设置有管壳，管壳与大功率芯片之间采用氮化铝覆铜基板进行隔离，此氮化铝覆铜基板热导率良好，管壳底座为铝碳化硅材质，具有和氮化铝覆铜基板相匹配的线性膨胀系数，同时这两种材质都具有极好的散热性能，以方便来提升整个电路实际使用使用的实用性能，并且本模块采用轻量化材料制作管壳，最大限度的减少了整体重量。
- 一种保护型贴片三极管-201920095503.X
- 罗少冬 - 中之半导体科技（东莞）有限公司
- 2019-01-21 - 2019-08-16 - H01L25/07
- 本实用新型提供了一种保护型贴片三极管，包括塑封外壳，所述塑封外壳内设有基极导电板、集电极导电板、发射极导电板，所述基极导电板上设有第一二极管芯片，所述集电极导电板上设有三极管芯片，所述发射极导电板上设有第二二极管芯片，所述第一二极管芯片与所述第二二极管芯片之间连接有第一导线，所述三极管芯片与所述基极导电板之间连接有第二导线，所述三极管芯片与所述发射极导电板之间连接有n根第三导线，n为大于等于2的整数。本实用新型的贴片三极管，在三极管芯片的两端并联两个二极管芯片，两个二极管芯片串联连接，能够保护三极管不被反向的瞬间高压击穿而损坏，具有极佳的保护性能。
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