[发明专利]一种反向恢复时间短的FRD二极管及制备方法

权利要求书

1.一种反向恢复时间短的FRD二极管，其特征在于：包括N型硅衬底层(1)，N型硅衬底层(1)表面分布有若干沟槽(2)，沟槽(2)内侧设有P+衬底结构(3)，N型硅衬底层(1)的外部设有N型硅外延层(4)，N型硅外延层(4)的内侧将沟槽(2)完全填充；

所述的一种反向恢复时间短的FRD二极管的制备方法，包括以下步骤：

①在N型硅衬底层表面依次通过光刻和刻蚀工艺形成若干沟槽，得A品；

②对A品在沟槽位置依次进行光刻、刻蚀和注入工艺，形成P+衬底结构，得B品；

③在B品表面生长形成N型硅外延层，并使N型硅外延层将沟槽完全填充，得C品；

④对C品表面依次进行光刻、刻蚀和注入工艺，形成P-衬底结构，得D品；

⑤对D品表面依次进行光刻、刻蚀、注入和退火工艺，形成SiO2层和Ti/AL金属叠层，得成品。

2.根据权利要求1所述的一种反向恢复时间短的FRD二极管，其特征在于：所述沟槽(2)包括底平面(201)，底平面(201)的四周设有倾斜的侧壁(202)，侧壁(202)的截面外形为V型，侧壁(202)的斜度为45°。

3.根据权利要求2所述的一种反向恢复时间短的FRD二极管，其特征在于：所述底平面(201)的深度为0.5um，所述沟槽(2)的宽度为1～3um。

4.根据权利要求3所述的一种反向恢复时间短的FRD二极管，其特征在于：所述P+衬底结构(3)的注入离子类型为B型，P+衬底结构(3)的掺杂浓度为1E15～6E15，P+衬底结构(3)的深度为0.8～1um，P+衬底结构(3)的宽度大于沟槽(2)宽度0.4～0.6um。

5.根据权利要求1所述的一种反向恢复时间短的FRD二极管，其特征在于：所述N型硅外延层(4)的表面设有P-衬底结构(5)，N型硅外延层(4)的外部设有Ti/AL金属叠层(6)；N型硅外延层(4)和Ti/AL金属叠层(6)在连接处部分填充有SiO2层(7)。