[发明专利]具有溅射的半导体材料的光子集成电路在审
| 申请号： | 202110138874.3 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN113267846A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 威廉·D·霍克;马库斯·比尔格 | 申请（专利权）人： | 唯亚威通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;C23C14/00;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及具有溅射的半导体材料的光子集成电路。一种溅射系统可以将氢气和溅射气体注入到溅射系统的腔室中，这可以导致氢化的半导体材料诸如氢化硅(Si:H)的至少一层被溅射到设置在腔室中的基底上，直到该至少一层具有满足阈值的厚度。在一些实施方式中，当溅射系统的腔室中的温度在从145℃至165℃的范围内时，氢气和溅射气体可以被注入到该腔室中。因此，在一些实施方式中，氢化的半导体材料的溅射层可以具有满足阈值的一种或更多种光学性质，以使得能够在9xx纳米波长范围和更大的波长操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 溅射 半导体材料 光子 集成电路 | ||
【主权项】：
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- 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上的光刻胶；利用等离子体增强化学气相沉淀技术，在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层，利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；利用湿法刻蚀工艺，在二氧化硅层上得到敏感窗口，形成基片；对基片进行划片、抛光处理，得到芯片单元；利用旋涂法，将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。
- 用于制造光波导的方法、光波导和传感器装置-200980113509.4
- 汉斯-彼得·涅德伯格;约瑟夫·舒勒尔;高特弗莱德·雷特尔 - 索尼达德克奥地利股份公司
- 2009-02-18 - 2011-05-18 - G02B6/132
- 本发明提供了用于制造光波导的方法，其中波导结构包括沉积在第一层(210)上的ZnS-SiO2波导层(220)，其中第一层的第一折射率小于波导层的折射率。本发明还提供了一种传感器装置，其包括平面光波导、光源、传感器、用于将分析物施加到平面波导的顶部上的应用单元和连接到传感器的处理器。
- 用于制备光学导波器的方法-200880124424.1
- 张俊颖;特里·L·史密斯;巴里·J·科赫;易亚沙 - 3M创新有限公司
- 2008-11-21 - 2010-12-08 - G02B6/132
- 本发明提供了一种制备导波器的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供导波器结构，所述导波器结构包括基底(22)、在所述基底上的下包层(20)和芯层(24)，所述芯层(24)包含在所述下包层上的氮化硅、无定形硅或无定形硅-锗合金；(b)将所述芯层图案化；以及(c)退火(28)所述导波器结构。
- 专利分类
