“吴远大”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果64个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种自动化的汇聚机房设备布局系统及生成方法-CN201911413402.3有效
发明人：朱明甫;马传琦;刘文奇;刁智华;王士斌;孙鹏;侯青霞;张廷杰;徐赵飞;刘尚鑫;赵波;罗勇;王贵宾;吴远大 -专利权人：河南垂天科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提出一种自动化的汇聚机房设备布局系统及生成方法，所述系统包括设备管理模块、机柜管理模块、场地管理模块、汇聚规划模块和用户管理模块，所述用户管理模块分别与设备管理模块、机柜管理模块、场地管理模块和汇聚规划模块相连接，用于完成自动化的机柜规划方案和设备规划方案的设计；所述汇聚规划模块分别与设备管理模块、机柜管理模块和场地管理模块相连接，用于完成机柜和设备的自动化汇聚；所述汇聚规划模块分别与温度监测模块和运行监测模块相连接，用于实现设备规划方案的修正。本发明能够根据设备的基本信息、热功率的监控等要素，在机房内汇聚生成机柜布局以及设备在机柜内自动化布局，并支持机柜布局和设备布局的人机交互调整。
一种自动化汇聚机房设备布局系统生成方法

[发明专利]一种基于二氧化硅光波导的光栅型三叉戟结构大带宽模斑转换器-CN202310651072.1在审
发明人：孙小强;王曼卓;岳建波;刘庭瑜;方计民;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种基于二氧化硅光波导的光栅型三叉戟结构大带宽模斑转换器，属于集成光电子学技术领域。从下至上依次由基底层、下包层、芯层波导和上包层组成，下包层位于基底层之上，芯层波导和上包层共同位于下包层之上且芯层波导被上包层所包覆；芯层波导由光栅型三叉戟输入波导(由Core1、Core2和Core3组成)和直波导结构的输出波导Core4构成，光栅型三叉戟波导中的Core1和Core3结构完全相同，由N个相似的小锥形波导构成且均匀排列，Core2由N个相似的小倒锥形波导构成且均匀排列；本发明制备的模斑转换器具有耦合效率高、带宽大、结构紧凑、易于封装、工艺复杂度低的特点，具有广泛的应用前景。
一种基于二氧化硅波导光栅三叉戟结构带宽转换器

[发明专利]一种有热AWG芯片的封装结构-CN202310280906.2在审
发明人：张响;贾志成;何世洋;谢信任;林起森;孙冰丽;吴远大 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种有热AWG芯片的封装结构，包括：温度控制装置，所述温度控制装置设在底盖上；平面micro‑TEC，所述平面micro‑TEC设在所述底盖上，且所述平面micro‑TEC与所述温度控制装置连接；热沉，所述热沉有两个，两个所述热沉分别设在所述平面micro‑TEC的两侧；AWG芯片，所述AWG芯片设在所述平面micro‑TEC的上方，所述AWG芯片呈曲线片状；热敏电阻，所述热敏电阻设在所述AWG芯片的上方，且所述热敏电阻与所述温度控制装置连接；顶盖，所述顶盖设在所述热敏电阻的上方，且所述顶盖与所述底盖相配合。本发明实施例的有热AWG芯片的封装结构，通过平面micro‑TEC可以对AWG芯片进行加热和冷却，还可以保证AWG芯片温度维持在正常的工作范围内，使AWG芯片得到充分的利用，提高了成品率。
一种 awg 芯片封装结构

[发明专利]一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器-CN202210992500.2有效
发明人：孙小强;岳建波;王曼卓;刘庭瑜;刘崧岳;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种基于聚合物/二氧化硅复合芯层结构的模斑转换器，属于二氧化硅波导集成光学技术领域。从下至上依次由硅衬底、低折射率二氧化硅下包层、聚合物/二氧化硅复合芯层和低折射率二氧化硅上包层组成；聚合物/二氧化硅复合芯层为聚合物波导芯层和高折射率二氧化硅波导芯层组成的复合结构，高折射率二氧化硅波导芯层由掩埋于聚合物波导芯层中的高折射率二氧化硅宽直波导芯层Core1、高折射率二氧化硅锥型过渡波导芯层Core2和高折射率二氧化硅窄直波导芯层Core3顺次构成。本发明通过聚合物波导增大波导模场面积，增强单模光纤模场与二氧化硅波导模场的模式匹配，提高光耦合效率，从而降低单模光纤与二氧化硅波导的耦合损耗。
一种基于聚合物二氧化硅复合结构转换器

[发明专利]一种基于二氧化硅光波导的三维边缘耦合器-CN202210628281.X有效
发明人：孙小强;王曼卓;岳建波;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种基于二氧化硅光波导的三维边缘耦合器，属于集成光电子学技术领域。该三维边缘耦合器从下至上依次由基底层、下包层、下层条带、第一中间包层、中间波导芯层、第二中间包层、上层条带和上包层组成，下层条带与上层条带的结构与尺寸完全相同，在与光传输方向垂直的截面上，下层条带、上层条带与中间波导芯层垂直对准。下包层、第一中间包层、第二中间包层、上包层为低折射率的二氧化硅，下层条带、中间波导芯层、上层条带为高折射率的二氧化硅，基底层为硅。该三维边缘耦合器用于集成光子芯片与光纤的耦合连接，实现单模光纤与二氧化硅波导间的光信号耦合。该器件在光通信、高性能计算机、光学传感等领域具有重要的应用价值和发展前景。
一种基于二氧化硅波导三维边缘耦合器

[发明专利]一种光纤阵列及其制作方法-CN202011419737.9有效
发明人：尹小杰;张家顺;王亮亮;王玥;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G02B6/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤阵列及其制作方法，其中，该光纤阵列，包括：定位基板；固定在定位基板上的多组光纤组；以及设置在该定位基板上的多组定位沟槽组，其中，每组定位沟槽组用于支撑一组光纤组，不同光纤组被相应的定位沟槽组支撑在不同的定位高度。本发明主要解决现有技术中的光纤阵列在与多层的硅光芯片器件进行耦合时无法精确耦合的问题。
一种光纤阵列及其制作方法

[发明专利]一种宽温高稳定性温度自适应平坦化补偿装置-CN201810427042.1有效
发明人：周天红;张家顺;安俊明;钟飞;吴远大 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温高稳定性温度自适应平坦化补偿装置，包括底板和至少两个温度驱动器，底板包括移动部Ⅰ、移动部Ⅱ和旋转连接轴；在移动部Ⅰ侧端设置有凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ，在移动部Ⅱ侧端设置有凸耳Ⅲ，凸耳Ⅰ、凸耳Ⅱ和凸耳Ⅲ相对应，在凸耳Ⅰ和凸耳Ⅲ之间、凸耳Ⅱ和凸耳Ⅲ之间分别安装有温度驱动器，且温度驱动器之间至少有一个温度驱动器的一端固定、另一端活动，至少有一个温度驱动器的两端固定；底板的膨胀系数和温度驱动器的膨胀系数不同。本发明装置采用二个或二个以上温度驱动器；可以根据环境的变化而自动发生移动，从而补偿PLC光波导器件的温度依赖性，使其温度补偿曲线更为平坦化，并且采用至少三个旋转轴来增加其可靠性及稳定性。
一种宽温高稳定性温度自适应平坦补偿装置

[发明专利]一种基于梯度二氧化硅光波导的模斑转换器-CN202211157258.3在审
发明人：孙小强;王曼卓;岳建波;刘庭瑜;刘崧岳;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种基于梯度二氧化硅光波导的模斑转换器，属于集成光电子学技术领域。依次由基底层、下包层、芯层波导和上包层组成，芯层波导被上包层所包覆；芯层波导由输入波导Core1、锥形过渡区波导Core2和输出波导Core3构成，输入波导Core1和输出波导Core3为直波导结构；输入波导Core1和锥形过渡区波导Core2的高度相同，且大于输出波导Core3的高度；锥形过渡区波导Core2的宽度由输入波导Core1的宽度逐渐变窄至输出波导Core3的宽度。在不同的光纤‑波导耦合结构中，本发明制备的模斑转换器具有耦合效率高、结构紧凑、易于封装、工艺复杂度低和波长变化不敏感的特点，具有广泛的应用前景。
一种基于梯度二氧化硅波导转换器

[发明专利]一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器-CN202211238246.3在审
发明人：岳建波;王曼卓;刘庭瑜;刘崧岳;孙小强;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种基于梯度折射率倒脊形波导的边缘耦合器，属于二氧化硅波导集成光学技术领域。从下至上依次由衬底、低折射率二氧化硅下包层、低折射率二氧化硅中间包层和低折射率二氧化硅上包层组成，在低折射率二氧化硅中间包层之中包覆有高折射率二氧化硅第一波导芯层，在低折射率二氧化硅上包层之中包覆有高折射率二氧化硅第二波导芯层，第二波导芯层位于第一波导芯层和二氧化硅中间包层之上。第一波导芯层为锥形波导，第二波导芯层由锥形波导Core1和直波导Core2组成，第一波导芯层和锥形波导Core1共同构成梯度折射率倒脊形波导边缘耦合器。来自光纤的光信号首先耦合至脊形结构波导中，然后由直波导Core2传输至光芯片等其他器件中。
一种基于梯度折射率脊形波导边缘耦合器

[发明专利]用于量子密钥分发的解码芯片及解码方法-CN202010824987.4有效
发明人：李骁;安俊明;王玥;王亮亮;张家顺;尹小杰;吴远大 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：一种用于量子密钥分发的解码芯片，包括：输入波导，用于接收传输待解码的光信号；定向耦合器，包括第一定向耦合器、第二定向耦合器以及第三定向耦合器，所述第一定向耦合器用于将输入光分成两束光，第二定向耦合器及第三定向耦合器用于实现光量子干涉；相位调制器，包括第一相位调制器以及第二相位调制器，用于对光信号相位进行调制；延时线结构，用于使光信号产生延时，同时抑制温度对误码率的影响；输出波导，用于输出解调后的光信号。本发明的解码芯片可实现分束比可调，使双时间隙脉冲光功率平衡，因而优化干涉可见度，减小误码率。本发明的解码芯片的干涉可见度相对于温度变化不敏感，即由光器件引起的误码率相对于温度变化不敏感。
用于量子密钥分发解码芯片方法

[发明专利]一种用于片上光信息交换的可调光功率分配器-CN202210649183.4在审
发明人：孙小强;刘庭瑜;高阳;刘崧岳;许言;吴远大;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：一种用于片上光信息交换的可调光功率分配器，属于聚合物集成光学技术领域。从上至下依次由调制电极、上包层、芯层、下包层和基底层组成，所述上包层和下包层均为聚合物材料EpoClad，折射率为1.56；芯层为聚合物材料EpoCore，折射率为1.572。调制电极为金属铝，基底层为硅片。沿光传输方向，该模式转换器的芯层由基于Y分支结构的1×1非对称马赫曾德尔光开关、1×3Y分支型光分路器、3×3多模干涉器3部分依次级联而成，其上共设置有三处调制电极，本发明能够实现通道间光功率在不同驱动条件下的调整变化和重新分配。
一种用于上光信息交换调光功率分配器

[发明专利]一种用于单光子干涉可见度的测量装置及方法-CN201910692918.X有效
发明人：李骁;安俊明;王玥;任梅珍;王亮亮;张家顺;尹小杰;吴远大 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01J9/02 文献下载
摘要：一种用于单光子干涉可见度的测量装置及方法，装置包括：激光器(1)、光斩波器(2)、可调光衰减器(3)、待测AMZI(4)、门控式单光子探测器(5)、计算机(9)、信号发生器(6)、光功率计(8)，以及相位调节系统(7)。利用该方法可以确定单光子探测计数随待测AMZI(4)相位变化的曲线，根据曲线中单光子探测计数的最大值和最小值计算单光子干涉可见度。可以直接对任意延时AMZI干涉仪单光子干涉可见度进行测量，并且可测量单个AMZI干涉仪单光子干涉的可见度。
一种用于光子干涉可见度测量装置方法

[发明专利]多层耦合结构-CN202110439580.4有效
发明人：李绍洋;王玥;王亮亮;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提出一种多层耦合结构，包括：衬底层、包层，包层中依次层叠设有多个波导层。其中，各波导层中均设有传输波导结构和耦合波导结构，其中耦合波导结构包括两段不同的渐变型波导结构。光信号经第一波导层输入，通过倏逝波耦合的方式，通过中间各个波导层不断向上耦合，最终在第N波导层输出，从而能够实现输入光向任意波导层的传输。本公开中的多层耦合结构尺寸小、耦合效率高，使得整个多层耦合芯片满足小型化、高性能的要求。
多层耦合结构

[发明专利]一种光接收集成芯片-CN202111329800.4在审
发明人：李绍洋;王玥;王亮亮;张家顺;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供一种光接收集成芯片，包括阵列波导光栅以及探测器阵列；阵列波导光栅包括多个输出波导；探测器阵列包括对应多个输出波导设置的多个探测器端口以及设于探测器端口与输出波导之间的多个第一波导结构；其中，第一波导结构包括呈相邻设置的锥形部以及延伸部，沿远离延伸部的方向，锥形部的截面宽度呈逐渐增加设置，锥形部的端部形成输入端，延伸部的端部形成输出端，输入端光路连接至输出波导上，输出端光路连接至探测器端口上。第一波导结构形成一锥形结构，避免因折射率突变而引起模式失配，造成较大的传输损耗，防止阵列波导光栅输出的高阶模式部分的功率丢失而影响带宽性能。
一种接收集成芯片

[发明专利]一种宽带宽阵列波导光栅-CN202111329798.0在审
发明人：李绍洋;王玥;王亮亮;张家顺;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带宽阵列波导光栅，包括阵列波导光栅以及第一波导结构；阵列波导光栅包括依次光路连接的输入波导以及输入平板波导；第一波导结构设于输入波导与输入平板波导之间，第一波导结构包括呈相对设置的初始端以及末尾端，初始端光路连接至输入波导上，末尾端光路连接至输入平板波导上，自初始端朝向末尾端，第一波导结构的截面宽度呈逐渐增大设置，形成一弧型结构。
一种宽带阵列波导光栅

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 64 条