[发明专利]一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺有效
| 申请号： | 201210168742.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102650711A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 杨树明;韩枫;李磊;张坤;胡庆杰;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺。首先在半导体硅（Si）上制备氧化锌（ZnO）薄膜，然后在此薄膜上溅射银（Ag）颗粒，从而制备出光耦合器的波导层。通过优化波导结构和几何参数，产生表面等离子体增强效果，从而使光在波导中传播时不再受衍射极限的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 等离子体 波导 耦合器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于表面等离子体的波导光耦合器的波导层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在硅(Si)基底(1)上通过射频磁控溅射工艺沉积金属氧化物薄膜(2)，其后通过气相沉积工艺对薄膜在大气气氛下进行热处理，保温后，再通过直流磁控溅射工艺沉积金属银(Ag)颗粒(3)。
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