[发明专利]一种高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110064654.0 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112750895A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王中旭 | 申请（专利权）人： | 陕西君普新航科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 712000 陕西省西安市西咸*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；势垒层，位于缓冲层上；沟道层，位于势垒层上；源极、栅极、漏极，均位于沟道层上；第一钝化层，位于沟道层上；第二钝化层，位于所述沟道层上。本发明的高电子迁移率晶体管具有N面异质结，由于采用了具有N面的势垒层和具有N面的沟道层，势垒层在2DEG下方，因此可以形成天然的背势垒，将2DEG限制在界面处，同时由于源极与漏极直接与禁带宽度较小的沟道层接触，能够形成电阻较低且质量较高的欧姆接触。此外，本发明的高电子迁移率晶体管的2DEG更靠近栅极，更容易被栅极控制，器件栅控能力更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
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