[发明专利]半导体封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110046168.6 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113078144A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吕宗育;黄炳刚;邱绍玲;侯上勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/00;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 实施例包括在中介层的衬底中部分地形成第一通孔，该第一通孔延伸到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括将第一管芯接合到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括使中介层的衬底的第二侧凹进以暴露第一通孔，第一通孔从中介层的衬底的第二侧突出，其中，在凹进之后，中介层的衬底的厚度小于50μm。该方法还包括在中介层的衬底的第二侧上形成第一组导电凸块，第一组导电凸块中的至少一个电耦合到暴露的第一通孔。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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