[发明专利]具有低导通电阻的超结MOSFET及制造方法在审
| 申请号： | 202110040147.3 | 申请日： | 2021-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN112736133A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 姜鹏;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有低导通电阻的超结MOSFET及制造方法，在N型衬底的正面设置N型外延层，在N型外延层的正面向下开设有沟槽，在沟槽内填充P型柱，在P型柱的上端设置P型体区，在P型体区内设置N型源区，在N型外延层的正面设置屏蔽栅氧化层，在屏蔽栅氧化层的正面设置屏蔽栅多晶硅，在屏蔽栅多晶硅的正面设置绝缘介质层，在绝缘介质层的正面设置发射极金属，发射极金属通过接触柱与P型体区以及N型源区欧姆接触。本发明通过缩短推进时间来实现更短的P型体区的宽度，从而得到更低的沟道电阻，进而实现了更低的导通电阻，使得MOSFET性能更加优异。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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