[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110022129.2 | 申请日： | 2021-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN114171575A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 松下宪一;大黑达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体部分、终端绝缘膜、第一保护膜、第二电极、终端电极、第一绝缘膜、以及第二保护膜。所述半导体部分设于所述第一电极上。所述终端绝缘膜设于所述半导体部分上。所述第一保护膜设于所述终端绝缘膜上，包含硅以及氮。所述第二电极设于单元区域的所述半导体部分上。所述终端电极设于所述第一保护膜上，并与所述半导体部分连接。所述第一绝缘膜设于所述第一保护膜上，并配置于所述第二电极与所述终端电极之间。所述第一绝缘膜的上部配置于所述第二电极以及所述终端电极之上。所述第二保护膜覆盖所述第一绝缘膜上，包含硅以及氮。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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