[发明专利]PE-CVD设备及方法在审
| 申请号： | 202110017476.6 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113308683A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | S·伯吉斯;K·克鲁克;D·阿查德;W·罗伊尔;E·A·莫里森 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/509 | 分类号： | C23C16/509 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请的实施例涉及一种PE‑CVD设备和方法。根据本发明，提供一种电容耦合的等离子体增强化学气相沉积PE‑CVD设备，其包括：腔室；第一电极，其包括位于所述腔室中的衬底支架；第二电极，其包括位于所述腔室中的进气口结构，所述进气口结构包括边缘区域、相对于所述边缘区域向下悬垂的中心区域，及用于将PE‑CVD前驱气体混合物引入到所述腔室的一或多个前驱气体入口，所述边缘区域及所述中心区域两者构成所述第二电极的一部分，其中所述前驱气体入口安置于所述边缘区域中，且所述中心区域与所述衬底支架间隔开以限定等离子体暗区通道；及RF电源，其连接到所述进气口结构以向其供应RF功率。 | ||
| 搜索关键词： | pe cvd 设备 方法 | ||
【主权项】：
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- 2021-12-31 - 2022-04-08 - C23C16/509
- 本发明提供一种可调节电浆曲线的处理装置，包含：一腔体，具有一内壁及一顶部；一喷淋板，固定于所述腔体的顶部；一支撑座，位于所述腔体中以承载一基板，所述支撑座、所述喷淋板和该腔体的内壁定义一处理区域；及一金属环，位于所述喷淋板与该支撑座之间，藉由一隔离手段使所述金属环未暴露于所述处理区域中也未电接触所述腔体的内壁。
- 成膜方法-201880064563.3
- 岩下伸也;守屋刚 - 东京毅力科创株式会社
- 2018-09-26 - 2022-03-18 - C23C16/509
- 在一实施方式的成膜方法在基片载置于支承台上的状态下被执行。该成膜方法包括：从气体供给部向腔室主体的内部空间供给包含前体的前体气体的步骤；从气体供给部向内部空间供给反应性气体的步骤；生成反应性气体的等离子体以增强前体与反应性气体的反应的步骤。在生成反应性气体的等离子体的步骤中，调节供给到下部电极的第2高频的电功率与供给到上部电极的第1高频的电功率之比，并且用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位。
- 射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构-202120732264.1
- 张勇;李学文;李军阳;龚文志;谭晓华;张海涛;盛亚 - 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
- 2021-04-09 - 2022-02-11 - C23C16/509
- 本实用新型公开了射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构。其中，射频馈入结构，用于将射频电源接入炉体的真空腔内，所述炉体的炉尾端设置有电极接入口，所述射频馈入结构包括：第一电极杆，所述第一电极杆伸进所述真空腔内；第二电极杆，设置在所述真空腔的外部，所述第二电极杆和射频电源的发射端连接；第一连接部，安装到所述电极接入口，使所述第一电极杆的轴向的一端的第一端部和所述第二电极杆的轴向的一端的第二端部相互导通，并至少使所述第一端部和所述第二端部被绝缘以及被屏蔽。本实用新型的射频馈入结构，不仅能够可靠地将射频电源引入真空腔内，而且结构简单。
- 管式PECVD设备-202120733028.1
- 张勇;李学文;李军阳;龚文志;谭晓华;张海涛;盛亚 - 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
- 2021-04-09 - 2022-02-11 - C23C16/509
- 本实用新型公开了管式PECVD设备，用于对基材进行镀膜，包括：腔体；射频电源接入部，设置在腔体上，具有射频馈入部和接地部，射频馈入部的一端和射频电源的发射端连接，射频馈入部的另一端伸进腔体内，接地部的一端和射频电源的接地端连接，接地部的另一端伸进腔体内；载片舟，包括多个第一导体和多个第二导体，第一导体和第二导体之间被绝缘，基材被保持在第一导体和第二导体中的其中一个；在被送入腔体内的状态下，第一导体和第二导体中的其中一个，和射频馈入部连接，第一导体和第二导体中的另一个，和接地部连接。本实用新型的管式PECVD设备，在能够保证产量的同时，提高镀膜质量。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
