[发明专利]MOS栅控功率器件中的短路保护结构

摘要

公开了MOS栅控功率器件中的短路保护结构。一种单芯片功率半导体器件(1)包括：第一负载端子(11)；第二负载端子(12)；半导体本体(10)，其被集成在单芯片中并且耦合到第一负载端子(11)和第二负载端子(12)，并且被配置为传导沿着所述端子(11，12)之间的负载电流路径的负载电流；控制端子(13)和电连接到控制端子(13)的至少一个控制电极(131)，其中至少一个控制电极(131)与半导体本体(10)电绝缘并且被配置为基于控制端子(13)和第一负载端子(11)之间的控制电压(25)来控制负载电流；保护结构(15)，其被与负载电流路径分离地集成在单芯片中，并且包括多个pn结(153)的利用多个第一导电类型的第一半导体区(151)和多个第二导电类型的第二半导体区(152)的串联连接(155)。pn结(153)的串联连接(155)被以正向偏置连接在控制端子(13)和第一负载端子(11)之间。