[发明专利]基于纵向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法在审
| 申请号： | 202011490832.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112614884A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵胜雷;刘爽;张进成;宋秀峰;张苇杭;陈大正;王中旭;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纵向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法，包括：P+衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、两个发射极(4)、栅介质层(5)、栅极(6)、两个金属加厚层(7)、钝化层(8)、集电极(9)。本发明简化了IGBT功率器件的工艺制造过程并使得其可以不需要P型基区便可以实现器件功能，提高了器件的击穿电压和降低了器件的导通电阻，从而提升了器件的高输出功率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纵向 肖特基隧穿 发射 半导体 垂直 igbt 制备 方法 | ||
【主权项】：
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