[发明专利]一种复合半导体肖特基二极管及弱能量收集用整流电路在审
| 申请号： | 202011467432.5 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112614897A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/165;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复合半导体肖特基二极管及弱能量收集用整流电路，肖特基二极管包括：SiGeOI衬底；复合层，复合层为在SiGeOI衬底顶层SiGe的第一区域的上表面先生长Sn层，然后对Sn层及其下部的顶层SiGe激光再晶化后形成；第一金属电极，设置于复合层的上表面；第二金属电极，设置于SiGeOI衬底的第二区域的上表面。本发明的方案通过将Si合金化引入Ge形成SiGeOI衬底与第二金属电极形成金半接触，降低SBD开启电压，满足2.45GHz弱能量密度情况下SBD开启需求，有利于提升整流效率；同时，通过在SiGe中引入Sn层形成复合层，使SBD的串联电阻变小，有效提升SBD的整流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 半导体 肖特基 二极管 能量 收集 整流 电路 | ||
【主权项】：
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