[发明专利]半导体器件的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011387273.8 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112635318A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇;吴长明;冯大贵;欧少敏;王玉新 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的刻蚀方法，包括：通过光刻工艺在集成有功率器件的晶圆上覆盖光阻，暴露出目标区域，该功率器件的后端结构中包括金属层，该金属层的构成材料包括铝；将晶圆放置在刻蚀设备的反应腔室中，进行刻蚀，刻蚀至目标区域的目标深度；进行离子清洗，在离子清洗过程中的反应气体包括含氯的化合物；去除光阻。本申请通过在对功率器件进行刻蚀后，通过包括含氯的化合物的反应气体进行离子清洗，由于含氯的化合物能够与反应副产物种的铝元素进行反应生成可挥发的气体，且离子束能够对反应副产物进行轰击清洗，因此能够在一定程度上解决由于反应副产物堆积所造成的晶圆位置偏移的问题，提高了制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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