[发明专利]半导体工艺设备有效
申请号: | 202011340051.0 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112593208B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 任晓艳;王勇飞;史小平;郑波;兰云峰;秦海丰;张文强;王昊 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/458 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
1.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括:工艺腔室、进气装置及承载装置;
所述工艺腔室内包括自上至下分布的工艺区及传片区;所述进气装置设置于所述工艺腔室的顶部,用于向所述工艺区内通入工艺气体;
所述承载装置包括有基座及导流结构,所述基座可升降的设置于所述传片区内,用于承载待加工件;所述导流结构设置于所述基座内,与一供气源连接,用于在所述基座位于工艺位置时,沿所述基座的周向吹出气体,在所述基座外周与所述工艺腔室内壁之间形成气墙,以隔绝所述工艺气体进入所述传片区;
所述工艺腔室传片区的内壁中设有排气结构,当所述基座位于所述工艺位置时,所述导流结构与所述排气结构相对,所述排气结构用于排出所述导流结构吹出的气体。
2.如权利要求1所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述基座包括基座本体和支撑轴,所述基座本体用于承载所述待加工件,所述支撑轴一端与所述基座本体连接,另一端穿过所述工艺腔室的底壁与一驱动源连接;
所述导流结构包括导流缝及多个气流道,所述导流缝开设于所述基座本体的外周壁上,并且沿所述基座本体的周向延伸设置;所述气流道开设于所述基座本体和所述支撑轴中,其两端分别与所述导流缝及所述供气源连接,用于将所述气体导引至所述导流缝。
3.如权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述导流结构还包括有环形的增压腔,所述增压腔形成于所述基座本体内且环绕所述基座本体的轴心设置,多个所述气流道均通过所述增压腔与所述导流缝连通。
4.如权利要求3所述的半导体工艺设备,其特征在于,多个所述气流道位于所述基座本体中的部分均沿所述基座本体的径向延伸设置,并且沿所述基座本体的周向均匀排布;多个所述气流道位于所述支撑轴中的部分均沿所述支撑轴的轴向延伸设置,且围绕所述支撑轴的轴线均匀排布。
5.如权利要求2所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述排气结构包括排气腔和第一排气管路,所述排气腔呈环形,形成于所述工艺腔室传片区的侧壁中,沿所述侧壁的周向延伸设置,所述侧壁上开设有沿所述侧壁的周向延伸设置且连通所述排气腔的排气口,在所述基座位于工艺位置时,所述排气口与所述导流缝相对,所述排气口的高度大于所述导流缝的高度,所述第一排气管路一端与所述排气腔连通,另一端与第一抽气装置连通。
6.如权利要求5所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括第二排气管路,所述第二排气管路的两端分别与所述传片区及所述第一抽气装置连接。
7.如权利要求6所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述工艺腔室工艺区的内壁上设有工艺排气结构,所述工艺排气结构用于排出所述工艺气体。
8.如权利要求7所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述工艺排气结构包括排气槽、排气栅及第三排气管路,所述排气槽呈环形,开设在所述工艺腔室工艺区的侧壁上,沿所述侧壁的周向延伸设置,所述排气栅呈环形,设置在所述排气槽的开口处,所述第三排气管路一端与所述排气槽连通,另一端与第二抽气装置连通。
9.如权利要求8所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述第一排气管路、第二排气管路上均设置有阀门,所述阀门用于导通或关闭所述第一排气管路、第二排气管路;所述第三排气管路上设置有所述阀门,所述阀门用于导通或关闭所述第一排气管路、第二排气管路。
10.如权利要求1至8的任一所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述工艺腔室内还设置有环形的分隔板,所述分隔板的外缘与所述工艺腔室的内壁连接,用于在所述工艺腔室分隔所述工艺区及所述传片区;当所述基座位于所述工艺位置时,所述基座的顶面与所述分隔板的顶面平齐。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的