[发明专利]一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件及制备方法在审
| 申请号： | 202011264978.0 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112382659A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 申占伟;刘兴昉;闫果果;赵万顺;王雷;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种元胞内带绝缘结构的功率半导体器件，包括：功率器件元胞单元(100)，栅氧化层(230)、栅电极接触(210)形成于元胞单元(100)上部，复合内绝缘层(220)形成于栅氧化层(230)和栅电极接触(210)的表面；复合内绝缘层(220)自下而上包括致密介质层(300)，高介电常数或高热导率及其组合薄膜层(310)，钝化介质薄膜层(320)；或者复合内绝缘层(220)自下而上包括致密介质层(300)，钝化介质薄膜层(320)，高介电常数或高热导率及其组合薄膜层(310)；源电极接触(200)形成于功率器件元胞单元(100)和复合内绝缘层(220)的上表面。本发明通过改变复合内绝缘层的结构和形貌，提高了功率器件高场可靠性和热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 元胞内带 绝缘 结构 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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