[发明专利]半导体隔离结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202011184712.5 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112002638B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 郑艳;李庆民;陈信全;杨宗凯;蒲甜松 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体隔离结构及其制作方法。所述制作方法包括：以图形化的硬掩模层为掩模刻蚀其下方的垫氧化层和半导体基底，形成多个沟槽；执行第一回拉工艺，使得硬掩模层的侧壁沿扩大沟槽开口的方向内缩；执行第二回拉工艺，使得垫氧化层的侧壁沿扩大沟槽开口的方向内缩，其中，内缩后的垫氧化层侧壁向外超出硬掩模层的侧壁；在沟槽内填满隔离介质，形成半导体隔离结构。经第一回拉工艺和第二回拉工艺后，垫氧化层侧壁向外超出硬掩模层的侧壁，可以避免垫氧化层的侧壁内缩到硬掩模层下方，使得沟槽侧壁没有产生凹陷，有助于提高沟槽的填充质量，提高半导体隔离结构的性能。所述半导体隔离结构利用上述制作方法获得。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 隔离 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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