[发明专利]槽栅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011129025.3 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112018188B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 龚雪芹;张彦飞;郝乐;刘梦新 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种槽栅MOSFET器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该槽栅MOSFET器件包括：依次层叠设置的衬底、外延层、阱区、源区、层间介质层和第一电极层；以及，沟槽栅，包括栅极沟槽、栅介质层和栅导电材料层，栅极沟槽一部分位于外延层内，一部分位于阱区内，栅介质层位于栅极沟槽的底部表面和侧面，栅导电材料层填充在栅极沟槽中；源接触孔，由层间介质层延伸至阱区形成，第一电极层通过源接触孔与源区和阱区相连，源接触孔包括相互连通的第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的孔径大于第二接触孔的孔径，第一接触孔靠近第一电极层分布。本申请改善了器件抗单粒子烧毁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 槽栅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科新微特科技开发股份有限公司，未经北京中科新微特科技开发股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011129025.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种输出短路保护电路
- 下一篇：存储块设备识别装置、系统和存储块设备读写方法
- 同类专利
- 专利分类
