[发明专利]一种低导通电阻MOS器件及制备工艺有效
| 申请号： | 202011105801.6 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112436057B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郑超;陈敏;欧新华;袁琼;孙春明;戴维;符志岗;刘宗金 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通电阻MOS器件及制备工艺，属于半导体制造技术领域，包括：于阱区中分别刻蚀形成第一深槽和第二深槽，分别于第一深槽的底部注入形成第一源区，于第二深槽的底部注入形成第二源区，于第一深槽和第二深槽中分别填充第一金属层；并于介质层中刻蚀形成窗口以暴露第一深槽和第二深槽；于第一窗口和第二窗口中沉积第二金属层，对衬底层的进行减薄处理；有益效果是：通过深孔刻蚀形成凹陷式的源极，使得源极与漏极之间的距离缩短，实现了在降低MOS管导通电阻的同时，维持器件晶圆在安全厚度范围内，进而减少晶圆碎片率，提高了产品成品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 mos 器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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