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[发明专利]电荷泵故障检测电路、检测方法及电子设备-CN202310931651.1在审
发明人：邱星福;符志岗;欧新华;袁琼;陈敏 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种电荷泵故障检测电路、检测方法、充电插头、充电系统及电子设备，其故障检测电路较为简单，其中的第一比较器的第一输入端以及第一电阻均耦接对应的自举电容的一端，其第二输入端以及第一开关均耦接对应的自举电容的另一端，第一电阻还与第一开关耦接；第二比较器的第一输入端以及第二电阻均耦接对应的飞跨电容的一端，其第二输入端以及第二开关均耦接对应的飞跨电容的另一端，第二电阻还与第二开关耦接，第一比较器及第二比较器的输出端均耦接第三检测模块。在电荷泵软启动后，仅需在第一时长内同时闭合N个第一开关以及N个第二开关，在第二时长内断开N个第一开关以及N个第二开关，就可以在较短时间内对电荷泵进行故障排除。
电荷故障检测电路方法电子设备

[发明专利]电荷泵预充电电路及电子设备-CN202310927841.6在审
发明人：邱星福;符志岗;欧新华;袁琼;陈敏 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供了一种电荷泵预充电电路及电子设备，其功率管单元包括电性连接的第一、第二、第三及第四开关管，第一开关管接一供电电压，并通过二极管耦接自举电容，自举电容分别耦接第二开关管以及飞跨电容，飞跨电容分别耦接第四开关管以及预充电电路，第四开关管接地，第二开关管的一端分别耦接电荷泵的输出端以及输出电容；预充电电路中，第五开关管通过限流电阻耦接飞跨电容，其另一端接地，保护模块以及插入检测模块均耦接电荷泵的输出端；从而在设备接入所述电荷泵时，控制第五开关管在设定时长内导通，利用电池向飞跨电容充电，简化了预充电的电路，从而本发明可以在不需要外部器件确认是否预充电完成的情况下，快速的对电荷泵进行预充电。
电荷充电电路电子设备

[实用新型]环境温度校准、测量装置以及系统-CN202320377351.9有效
发明人：郁俊燕;陈敏;欧新华;袁琼;戴维;孙春明 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种环境温度校准、测量装置及系统，其中，环境温度校准装置用于对环境箱的温度进行校准，包括：感温元件、连接件以及温度测量元件；其中：所述环境箱用于根据一预设温度对箱内的温度进行调节，以使得调节后的箱内的稳定温度理论上达到所述预设温度；所述感温元件用于对所述被测物体附近的实际温度进行感测，并将感测到的实际温度通过所述温度测量元件进行显示；若所述实际温度与所述预设温度存在差异，通过改变预设温度以使得最终的实际温度与所述预设温度相等。
环境温度校准测量装置以及系统

[实用新型]公共交通扶手装置-CN202221818212.7有效
发明人：吴晨雨;刘宗金;夏杰;吴佳;欧新华;袁琼 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B60N3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种公共交通扶手装置，其包括：输入模块、震动模块、通信模块、控制模块；其中，输入模块、震动模块、通信模块分别与控制模块电连接。本实用新型的公共交通扶手装置，可以通过扶手震动提醒用户到站，丰富了扶手的功能。
公共交通扶手装置

[发明专利]肖特基二极管及制作方法，以及电子设备及制作方法-CN202310046958.3在审
发明人：王莹;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;李艳旭 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基二极管，包括：肖特基二极管结构，该结构具体包括：衬底、外延层以及若干栅极沟槽；N+型离子注入区与第一势垒层；N+型离子注入区形成于远离若干栅极沟槽一侧的外延层中；第一势垒层形成于N+型离子注入区的表层中；层间介质层，覆盖外延层的表面，且暴露出若干栅极沟槽、若干栅极沟槽之间的外延层以及N+型离子注入区；第一金属层与钝化层，第一金属层形成于第一势垒层的顶端；钝化层包裹第一金属层，且暴露出部分第一金属层的表面；第一焊盘，形成于第一金属层暴露出来的表面上。该技术方案解决了由于传统打线工艺造成的对芯片有效面积的限制的技术问题。进而实现了降低肖特基二极管的压降和提高过电流能力的技术效果。
肖特基二极管制作方法以及电子设备

[发明专利]SGT mosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法-CN202211711010.7在审
发明人：李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明;王莹;庞亚楠 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种SGT mosfet器件的制备方法，包括：形成衬底、第一外延层、第一场氧层以及第一栅极沟槽；形成屏蔽栅极以及空腔；屏蔽栅极填充于部分第一栅极沟槽中；屏蔽栅极的顶端未被填充的第一栅极沟槽形成空腔；其中，屏蔽栅极顶端是平整表面；形成栅间氧化层、第二外延层、第二场氧层以及栅极；形成层间介质层、体区离子注入区、源区离子注入区以及接触孔；其中，体区离子注入区和源区离子注入区，沿远离第一外延层的方向上依次形成于栅极周围的第二外延层中；层间介质层形成于栅极与源区离子注入区表面；接触孔贯穿层间介质层，体区离子注入区和部分源区离子注入区。该技术方案解决了如何缩小SGT mosfet器件的特征尺寸的问题。
sgt mosfet 器件及其制备方法电子设备

[发明专利]SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法-CN202211464292.5在审
发明人：李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC Trench MOSFET器件的制造方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层；其中，第一外延层包括一凹槽；第一栅氧层形成于凹槽中；形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p型离子注入层、p+型离子注入层、第二栅氧层、栅极沟槽、栅极、层间介质层、接触孔以及金属层；其中，形成的第一栅氧层的厚度为200‑500nm。本申请提供的技术方案，通过分步外延的方式，解决了形成的第一栅氧层的厚度无法满足器件性能要求的技术问题，进而解决了因底部栅氧厚度没有达到要求而导致的器件击穿电压较小的问题，从而实现了对SiC Trench MOSFET器件较为薄弱的沟槽底部得以有效保护的技术效果。
sic trench mosfet 器件制造方法设备以及制作方法

[实用新型]开关型电源控制电路-CN202221216609.9有效
发明人：符志岗;欧新华;袁琼;朱同祥;邱星福;陈敏;宁亚平 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种开关型电源控制电路，包括：开关电源、PWM控制模块以及开关导通控制模块；其中：开关电源包括第一开关支路及第二开关支路；第一开关支路的第一端连接输入电压端，其第二端连接第一参考节点，其控制端连接所述PWM控制模块的第一端；第二开关支路的第一端连接第一参考节点，其第二端连接接地端，其控制端连接PWM控制模块的第二端；PWM控制模块的输入端用于接收PWM脉冲信号，通过第一端输出第一驱动信号，通过第二端输出第二驱动信号；开关导通控制模块的第一端连接第一参考节点，其第二端连接PWM控制模块的第三端。本实用新型提供的开关型电源控制电路保证了环路工作的连续性，有效地摆脱了次谐波震荡。
开关电源控制电路

[实用新型]一种独立四通道后级数字放大器-CN202223111261.X有效
发明人： 欧新华;何泽隆;吴新发 -专利权人：广东飞胜电子有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种独立四通道后级数字放大器，包括外壳、音频输入输出接口和电源，其特征在于：所述外壳内设有四通道后级数字放大电路，所述四通道后级数字放大电路包括DSP处理电路、DAC转换电路、单片机控制电路、双通道后级功率放大器，所述DSP处理电路与单片机控制电路相连，所述的单片机控制电路分别与双通道后级功率放大器、DSP处理电路和DAC转换电路通过总线相互连接。两路输入信号通过前级信号放大模块和限幅处理模块就数字化，然后在DSP中进行数字音频处理，数字化程度高，克服目前的双通道数字放大器的不足。
一种独立通道级数放大器

[实用新型]开关频率控制电路-CN202221216601.2有效
发明人：符志岗;欧新华;袁琼;戴维;邱星福;刘宗金;朱晓明 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种开关频率控制电路，包括：开关电源、PWM控制模块、开关导通控制模块以及数字模块；其中：开关电源包括第一开关支路及第二开关支路；第一开关支路的第一端连接输入电压端，其第二端连接第一参考节点，其控制端连接PWM控制模块的第一端；第二开关支路的第一端连接第一参考节点，其第二端连接接地端，其控制端连接PWM控制模块的第二端；PWM控制模块的输入端用于接收PWM脉冲信号，其第一端输出第一驱动信号，其第二端输出第二驱动信号；开关导通控制模块的第一端连接第一参考节点，其第二端连接PWM控制模块的第三端；数字模块的第一端与PWM控制模块的第四端连接。该电路简单高效，易于进行频率展宽。
开关频率控制电路

[发明专利]MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备-CN202211464258.8在审
发明人：李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOSFET器件的制作方法，包括：形成具有栅极沟槽的MOSFET器件结构；所述MOSFET器件结构包括衬底，以及形成于所述衬底上的外延层；场氧层，形成于所述栅极沟槽的内壁以及所述栅极沟槽外的所述外延层的表面上；形成屏蔽栅极；其中，所述屏蔽栅极顶端是平整的表面。形成栅间氧化层以及栅极；所述栅间氧化层形成于所述屏蔽栅极的平整的表面上，所述栅极形成于所述栅间氧化层上；在所述栅极周围的所述外延层中依次形成体区离子注入层、源区离子注入层，在所述栅极的顶端依次形成层间介质层和金属铝层，以及形成接触孔。该技术方案解决了如何制作平整表面的屏蔽栅极的问题，实现了保证器件具有更好的电性的技术效果。
mosfet 器件制作方法及其设备

[实用新型]高精度电流采集电路以及电子设备-CN202222314438.X有效
发明人：张葳;符志岗;邱星福;朱同祥;宁亚平;欧新华;袁琼 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种高精度电流采集电路，所述高精度电流采集电路包括：控制模块、第一采集模块、第二采集模块以及运放模块；所述第一采集模块与所述第二采集模块构成镜像采集电流结构；所述第二采集模块包括第二功率管；所述第一采集模块包括N个第一功率管，所述N个第一功率管的尺寸不同，以使得每个第一功率管的尺寸与所述第二功率管的尺寸的比例K值不同；其中，N为正整数，且N≥2；所述控制模块用于选择所述N个第一功率管中的任一第一功率管作为选择功率管；以及用于控制所述第二功率管与所述选择功率管的工作状态；所述控制模块通过切换不同的第一功率管作为所述选择功率管来调节K值，以削弱运放输入失调电压引起的采集误差，提高采集精度。
高精度电流采集电路以及电子设备

[实用新型]一种TVS器件结构以及电子设备-CN202221648372.1有效
发明人：刘宗金;夏杰;吴晨雨;吴佳;欧新华;袁琼 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种TVS器件结构，包括：TVS器件；TVS器件的阳极包括：第一重掺杂N++区以及形成于第一重掺杂N++区的顶端的第一金属层；TVS器件的阴极包括：重掺杂P++区以及位于其顶端的第二金属层；以及第二重掺杂N++区；第二重掺杂N++区形成于重掺杂P++区中，且连接第二金属层；其中，TVS器件的阳极形成TVS器件结构的阳极；TVS器件的阴极以及第二重掺杂N++区形成TVS器件结构的阴极；其中，TVS器件结构的阳极与TVS器件结构的阴极之间的击穿电压不低于TVS器件的阳极与TVS器件的阴极之间的击穿电压。本实用新型解决了如何降低的TVS器件的箝位电压的问题，实现了对电路中的电源芯片以及主板级芯片更好的保护效果。
一种 tvs 器件结构以及电子设备

[发明专利]GaN HEMT器件的栅极制作方法、栅极的结构及电子设备-CN202210809623.8在审
发明人：陈敏;戴维;欧新华;袁琼;符志岗;邱星福;朱同祥;孙春明 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN HEMT器件的栅极制作方法，包括：提供一衬底；在衬底上沿远离衬底方向上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、‑GaN层以及栅金属层；在栅金属层上形成图形化的掩膜；在图形化的掩膜的保护下，对p‑GaN层以及栅金属层进行第一处理以形成栅极；栅极包括第一p‑GaN层以及第一栅金属层；其中，第一p‑GaN层仅覆盖于部分势垒层上；第一金属层仅覆盖于部分第一p‑GaN层的表面；以及去除图形化的掩膜；其中，第一处理包括：对栅金属层进行湿法腐蚀，以使得第一栅金属层形成于部分第一p‑GaN层的表面上。因而本发明提供的技术方案解决了如何减小刻蚀栅金属层对第一p‑GaN层造成的损伤的问题，实现了器件性能的进一步提高。
gan hemt 器件栅极制作方法结构电子设备

[发明专利]高精度电流采集电路以及电子设备-CN202211055032.2在审
发明人：张葳;符志岗;邱星福;朱同祥;宁亚平;欧新华;袁琼 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种高精度电流采集电路，所述高精度电流采集电路包括：控制模块、第一采集模块、第二采集模块以及运放模块；所述第一采集模块与所述第二采集模块构成镜像采集电流结构；所述第二采集模块包括第二功率管；所述第一采集模块包括N个第一功率管，所述N个第一功率管的尺寸不同，以使得每个第一功率管的尺寸与所述第二功率管的尺寸的比例K值不同；其中，N为正整数，且N≥2；所述控制模块用于选择所述N个第一功率管中的任一第一功率管作为选择功率管；以及用于控制所述第二功率管与所述选择功率管的工作状态；所述控制模块通过切换不同的第一功率管作为所述选择功率管来调节K值，以削弱运放输入失调电压引起的采集误差，提高采集精度。
高精度电流采集电路以及电子设备

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