[发明专利]去除了衬底的栅极全包围集成电路结构在审
| 申请号： | 202011017615.7 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113053879A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | B·古哈;M·科布林斯基;P·莫罗;O·戈隆茨卡;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/775;H01L29/78;H01L21/8234;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了去除了衬底的栅极全包围集成电路结构以及去除了衬底的栅极全包围集成电路结构的制造方法。例如，一种集成电路结构包括垂直布置的水平纳米线。栅极堆叠体包围垂直布置的水平纳米线的沟道区。一对非分立的外延源极或漏极结构位于垂直布置的水平纳米线的第一端和第二端处。一对电介质间隔体位于该对非分立的外延源极或漏极结构与栅极堆叠体之间。该对电介质间隔体和栅极堆叠体具有共平面顶表面。该对电介质间隔体、栅极堆叠体和该对非分立的外延源极或漏极结构具有共平面底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 除了 衬底 栅极 包围 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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