[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
申请号: | 202010997699.9 | 申请日: | 2020-09-21 |
公开(公告)号: | CN114256204A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 郑二虎;宋佳;张冬平 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/266 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括标记区和器件区;对部分所述标记区的所述衬底进行离子注入,在所述标记区内形成零层对准标记,所述零层对准标记的顶部表面与所述器件区的衬底的顶部表面齐平。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法,可以形成顶部表面与衬底的顶部表面齐平的零层对准标记,为后续半导体器件的形成工艺提供平坦的工艺平台,有利于提高形成的半导体结构的性能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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