[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010979722.1 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112582274A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;陈蕙祺;李智圣;吕志弘;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 此处提供半导体装置、集成电路、与其形成方法。在一实施例中，方法包括沉积第一介电层于工件上的金属垫上；形成第一开口于第一介电层中，以露出金属垫的一部分；在形成第一开口之后，形成第二介电层于露出的金属垫的部分上；沉积第一聚合材料于第二介电层上；形成第二开口穿过第一聚合材料与第二介电层以露出金属垫；以及形成凸块结构于露出的金属垫上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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