[发明专利]一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010966726.6 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN111987153B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 熊杰;王雪芃;汪洋;储隽伟;张淼;饶高峰;龚传辉;陈心睿;周婷;晏超贻;王显福 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/304 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 功耗 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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