[发明专利]一种集成FRD的DMOS器件的制造方法及DMOS器件在审
| 申请号： | 202010928322.8 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112002761A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 杨勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中山市科企联知识产权代理事务所(普通合伙) 44337 | 代理人： | 杨立铭 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种集成FRD的DMOS器件的制造方法及DMOS器件，其方法包括以下步骤：101、在DMOS欧姆接触孔区溅射金属Pt，采用低温炉管进行合金形成Pt‑Si化合物；102、通过王水腐蚀去除DMOS圆片表面多余的Pt，然后通过快速退火RTP调整少子寿命复合中心进而调整DMOS器件反向恢复速度。通过在DMOS器件晶圆表面溅射Pt,通过Pt退火调整Pt少子寿命复合中心，有效提升了器件的开关频率以及反向恢复速度，同时有效抑制DMOS器件在整机应用的振铃现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 frd dmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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