[发明专利]具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010888687.2 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111969051B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王卓;祖健;朱旭晗;章文通;方冬;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一介质氧化层，分离栅多晶电极，第二介质氧化层，第三介质氧化层，控制栅多晶电极，第二导电类型阱区，重掺杂第一导电类型区，重掺杂第二导电类型区，源极金属接触，控制栅金属接触和分离栅金属接触。通过在过渡区增大槽宽，增加一次过渡区栅多晶刻蚀，形成控制栅多晶和栅氧化层包围分离栅金属接触的结构，避免了常规分离栅引出所需要的控制栅和分离栅之间的介质氧化层隔离，杜绝了厚氧隔离所带来的吸硼排磷问题和曲率效应带来的电场集中问题，以及存在厚氧隔离时过渡区耗尽不足问题，消除器件过渡区的提前击穿，保证器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可靠性 分离 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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