[发明专利]超级结及其制造方法在审
| 申请号： | 202010867109.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112002750A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/552;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结，包括：具有第一导电类型掺杂的第一外延层，在第一外延层中形成有超级结沟槽，在超级结沟槽中填充有第二导电类型掺杂的第二外延层；在沿超级结的深度方向上，第一外延层的掺杂浓度的分布曲线为波形曲线；在超级结反偏时，各超级结单元在波形曲线的各波形位置处耗尽速率不同，从而改善超级结器件的EMI能力。本发明还公开了一种超级结的制造方法。本发明能实现沟槽型超级结并同时改善超级结器件的EMI能力。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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