[发明专利]一种半导体器件氢效应定量评价系统及方法在审

专利信息
申请号: 202010621597.7 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN111948506A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 吴照玺;段超;丁鸷敏;孟猛;贾晓;谢晨明;王小青;王旭;郑雪峰 申请(专利权)人: 中国空间技术研究院
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 任林冲
地址: 100194 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种半导体器件氢效应定量评价系统,包括气体预混合模块、样品试验模块、气体成分分析模块、真空保持模块和控制模块,气体预混合模块包括金属腔体、流量控制阀门、程控阀门和紊流机构,金属腔体为方形腔体,左右两个面上预留螺纹孔,用于安装流量控制阀门和阀门,紊流结构连接在金属腔体侧壁,位于流量控制阀门和程控阀门之间,对从流量控制阀门通入的气体充分混合。本发明中样品试验模块中的气体可以在试验过程中不断补充,保持氢气浓度恒定,确保试验样品处于稳定的氢气浓度中,进而确保氢效应评价结果准确。
搜索关键词: 一种 半导体器件 效应 定量 评价 系统 方法
【主权项】:
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