[发明专利]一种表征半导体器件结特性的方法在审
| 申请号： | 202010596223.4 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111812477A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 冯列峰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300350 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表征半导体器件结特性的方法，该方法是一种基于并联或串联模式以正向交流电特性结合直流I‑V测量来精确表征二极管的系统方法，克服了传统半导体器件表征技术信息量少的缺陷，可以得到器件内部结电容、结电导、串联电阻、理想因子和结电压随外加电压和电流的精确函数关系。解决了半导体器件内部结特性表征的难题，揭示了实际工作中的半导体器件的内部电学输运机制，为设计和制备高性能的半导体光电子器件提供了技术指导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表征 半导体器件 特性 方法 | ||
【主权项】：
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