[发明专利]具有内埋Σ形结构的半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010580358.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420838A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄登烟 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有内埋Σ形结构的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一半导体基板、一半导体鳍片、以及一经填充的沟槽。该半导体鳍片从该半导体基板向上延伸。该经填充的沟槽形成于该半导体鳍片中且包括一第一Σ部分、一第二Σ部分、以及一中间部分。该第一Σ部分由一半导体缓冲区域部分地填充，且该第一Σ部分的一未填充部分由生长在该半导体缓冲区域上的一经掺杂的半导体区域填充。该第二Σ部分由该半导体缓冲区域填充。该中间部分将该第一Σ部分连接至该第二Σ部分，且该中间部分由该半导体缓冲区域填充。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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